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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-12 15:20 キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 ○大麻浩平・吉岡 啓・齊藤泰伸・菊地拓雄・大黒達也・浜本毅司・杉山 亨（東芝）  ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 |
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| 抄録 | （和） | GaNパワーデバイスが克服すべき課題の一つである電流コラプス現象に関して、新たな評価手法を検討した。従来の動的オン抵抗を測定する手法では、素子の自己発熱の影響を含んでしまう為、熱の影響が無視可能であるキャリア数の減少を直接的に捉える手法を用いた。フィールドプレート構造下におけるキャリア減少は、容量特性上では空乏化電圧の低下として観測することが出来るので、容量測定を用いてキャリアの減少量とその位置を知ることが可能となる。容量特性から求められる指標と動的オン抵抗の関係を調べ、提案手法がコラプス評価として機能することを確認した。また、本手法と従来の手法を組み合わせることでオン抵抗上昇の要因を分離することが出来る為、コラプス現象の理解と解決に役立つものであると考えている。 |
| （英） | We report a new method to evaluate current collapse. To exclude self-heating effect during dynamic test, we propose carrier number as a new indicator. Carrier number could be evaluated from capacitance measurement. Change in capacitance gives direct evidence of carrier decrease and the region it occurs. Proposed method was verified and confirmed to have a high accuracy by comparing with dynamic testing results. New method makes it possible to evaluate the change of carrier number and mobility independently, which can be used to model and solve the current collapse phenomenon. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / パワーデバイス / 電流コラプス / キャリア数 / 容量測定 / フィールドプレート / / |
| （英） | Gallium Nitride / Power Devices / Current Collapse / Carrier Number / Capacitance Measurement / Field Plate / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 356, ED2016-62, pp. 27-30, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ED2016-62 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluating Current Collapse of GaN HEMT devices by Carrier Number |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | パワーデバイス / Power Devices |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / Current Collapse |
| キーワード(4)（和/英） | キャリア数 / Carrier Number |
| キーワード(5)（和/英） | 容量測定 / Capacitance Measurement |
| キーワード(6)（和/英） | フィールドプレート / Field Plate |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大麻 浩平 / Kohei Oasa / オオアサ コウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： TOSHIBA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 啓 / Akira Yoshioka / ヨシオカ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： TOSHIBA) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齊藤 泰伸 / Yasunobu Saito / サイトウ ヤスノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： TOSHIBA) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊地 拓雄 / Takuo Kikuchi / キクチ タクオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： TOSHIBA) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大黒 達也 / Tatsuya Ohguro / オオグロ タツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： TOSHIBA) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浜本 毅司 / Takeshi Hamamoto / ハマモト タケシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： TOSHIBA) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 亨 / Toru Sugiyama / スギヤマ トオル |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corp. (略称： TOSHIBA) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-62, CPM2016-95, LQE2016-78 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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