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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-13 13:00 コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 ○金子健太郎（京大）・人羅俊実（FLOSFIA）・藤田静雄（京大）  ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 |
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| 抄録 | （和） | コランダム構造をもつワイドバンドギャップ半導体α-In2O3 (Eg= 3.7 eV)は酸素空孔や格子間インジウム等で電子濃度が高くなる傾向があり，絶縁体としての性質が強いα-Ga2O3 (Eg= 5.3 eV)と大きく異なる．本研究では，この電子密度を低減させるためにアクセプターとしてMgを用い，電子濃度の低減を確認した．さらに，得られた薄膜をアニール処理してMOSFET構造を作製したところ，Mg5%ドープα-In2O3薄膜において電界効果移動度187 cm2/Vs，実効移動度240 cm2/Vsという高いデバイス移動度を示した．そして，コランダム構造をもつp型半導体としてGaドープα-Rh2O3とα-Ir2O3薄膜を作製し，それぞれのHall効果測定においてp型伝導を確認した． |
| （英） | Electronic carrier concentrations in corundum-structured α-In2O3 thin films decreased by being doped with a Mg ion. A MOSFET based on Mg-doped α-In2O3 showed a field effect mobility and an effective mobility of 187 and 240 cm2/Vs, respectively. On the other hand p-type corundum-structured oxides were also fabricated on sapphire substrates. Ga doped α-Rh2O3 and α-Ir2O3 showed p-type conductivities in Hall effect measurements. These results indicate a realization of not only unipolar devices but also bipolar ones consisted with only corundum-structured oxides for power device applications in the future. | |
| キーワード | （和） | 酸化インジウム / 酸化ガリウム / 酸化ロジウム / 酸化イリジウム / p型酸化物半導体 / パワーデバイス / / |
| （英） | Indium Oxide / Gallium Oxide / Rhodium Oxide / Iridium Oxide / p-type oxide semiconductor / power device / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 357, CPM2016-107, pp. 85-88, 2016年12月. | |
| 資料番号 | CPM2016-107 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and application of corundum-structured n- and p-type wide band gap oxide semiconductors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化インジウム / Indium Oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium Oxide |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化ロジウム / Rhodium Oxide |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化イリジウム / Iridium Oxide |
| キーワード(5)（和/英） | p型酸化物半導体 / p-type oxide semiconductor |
| キーワード(6)（和/英） | パワーデバイス / power device |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 健太郎 / Kentaro Kaneko / カネコ ケンタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 人羅 俊実 / Toshimi Hitora / ヒトラ トシミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社FLOSFIA (略称： FLOSFIA) FLOSFIA INC. (略称： FLOSFIA INC.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤田 静雄 / Shizuo Fujita / フジタ シズオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-13 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2016-74, CPM2016-107, LQE2016-90 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.85-88 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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