講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-12-13 10:05
極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 ○松田祥伸・船戸 充・川上養一(京大) ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 エレソ技報アーカイブへのリンク: ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 |
抄録 |
(和) |
三次元GaN上に作製したInGaN量子井戸は,蛍光体フリーな新規白色LEDとして有望である.しかし,これまで報告されてきた構造では,最長波長の発光を担うInリッチInGaN量子井戸が(0001)極性面上に作製されており,分極誘起電界のために発光効率が低くなるという問題があった.この問題を解決するため,本研究では,三次元量子井戸を{11-22}半極性面GaN基板上に作製した.その結果,(0001)極性面フリーな新規三次元構造の作製に成功し,多色発光も観察した. |
(英) |
InGaN quantum wells (QWs) grown on three dimensionally (3D) structured GaN are promising for phosphor-free white LEDs. However, previously reported structures have a problem that In-rich InGaN QWs for longer wavelendth emission are fabricated on the (0001) polar plane, where the optical transition probability is low due to polarization-induced internal electric fields. In this study, 3D-structured QWs are fabricated on the {11-22} semipolar GaN substrates. We demonstrate the fabrication of polar plane-free three-dimensional structures and polychromatic emission from the structures. |
キーワード |
(和) |
窒化物半導体 / 有機金属気相成長法 / 三次元構造 / 多色発光 / / / / |
(英) |
nitride semiconductor / metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) / three-dimensional structures / polychromatic emission / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 358, LQE2016-86, pp. 67-70, 2016年12月. |
資料番号 |
LQE2016-86 |
発行日 |
2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 エレソ技報アーカイブへのリンク: ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM LQE ED |
開催期間 |
2016-12-12 - 2016-12-13 |
開催地(和) |
京大桂キャンパス |
開催地(英) |
Kyoto University |
テーマ(和) |
窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
テーマ(英) |
Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2016-12-CPM-LQE-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Realization of multi-wavelength emission using polar plane-free InGaN multifacet quantum wells |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
窒化物半導体 / nitride semiconductor |
キーワード(2)(和/英) |
有機金属気相成長法 / metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) |
キーワード(3)(和/英) |
三次元構造 / three-dimensional structures |
キーワード(4)(和/英) |
多色発光 / polychromatic emission |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松田 祥伸 / Yoshinobu Matsuda / マツダ ヨシノブ |
第1著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル |
第2著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
川上 養一 / Yoichi Kawakami / |
第3著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2016-12-13 10:05:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
ED2016-70, CPM2016-103, LQE2016-86 |
巻番号(vol) |
vol.116 |
号番号(no) |
no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
ページ範囲 |
pp.67-70 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |