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講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-13 15:05
sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御
赤岩和明市野邦男鳥取大)・金子健太郎藤田静雄京大ED2016-79 CPM2016-112 LQE2016-95
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 116, no. 357, CPM2016-112, pp. 107-111, 2016年12月.
資料番号 CPM2016-112 
発行日 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2016-79 CPM2016-112 LQE2016-95

研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2016-12-12 - 2016-12-13 
開催地(和) 京大桂キャンパス 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 
テーマ(英) Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2016-12-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth and Conductivity Control of Corundum-Structured Gallium Oxides on Sapphire Substrates 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤岩 和明 / Kazuaki Akaiwa / アカイワ カズアキ
第1著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori Univ (略称: Tottori Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 市野 邦男 / Kunio Ichino /
第2著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori Univ (略称: Tottori Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 金子 健太郎 / Kentaro Kaneko /
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto Univ (略称: Kyoto Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 静雄 / Shizuo Fujita /
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto Univ (略称: Kyoto Univ)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-12-13 15:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2016-79, CPM2016-112, LQE2016-95 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) 
ページ範囲 pp.107-111 
ページ数
発行日 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) 


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