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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-13 08:40 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 ○松浦圭吾・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）  ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、低コスト高性能緑色半導体レーザの実現に向け、へき開面を共振器ミラーとして利用した半極性面上InGaN量子井戸構造を提案している。しかし、その構造では、導波路モードの電界ベクトルの方向と光学利得を最大限に利用できる電界ベクトルの方向が一致しないことが指摘されている。そこで、本研究では、このミスマッチを導波路構造の工夫により低減することができないか検討した。その結果、導波路を従来のAlGaN/GaN構造から、AlGaN/InGaN構造に変更することにより、電界ベクトルのミスマッチが低減し、光学利得が大きく向上することがわかった。 |
| （英） | In order to realize low-cost high-performance green semiconductor laser diodes (LDs), we proposed semipolar InGaN quantum-well (QW) LDs with cleaved facet cavity mirrors. It has been pointed out, however, that optical gain in the QW layers cannot be fully utilized due to the mismatch of the polarization properties between the waveguide modes and optical gain characteristics in the active region. In this work, we have found that this mismatch can be largely reduced by tuning the waveguide structure. | |
| キーワード | （和） | 半極性面上InGaN量子井戸レーザ / 光学利得 / 導波路モード / / / / / |
| （英） | semipolar InGaN quantum well / optical gain / waveguide mode / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 358, LQE2016-83, pp. 51-54, 2016年12月. | |
| 資料番号 | LQE2016-83 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Enhancement of Optical Gain by Controlling Waveguide Modes in Semipolar InGaN Quantum Well Laser Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半極性面上InGaN量子井戸レーザ / semipolar InGaN quantum well |
| キーワード(2)（和/英） | 光学利得 / optical gain |
| キーワード(3)（和/英） | 導波路モード / waveguide mode |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 圭吾 / Keigo Matsuura / マツウラ ケイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai / サカイ シゲタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-13 08:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2016-67, CPM2016-100, LQE2016-83 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.51-54 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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