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講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-13 10:30
クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長
岸元克浩呉 珮岑船戸 充川上養一京大ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87
抄録 (和) 本研究では,新たなAlNバルク成長法として,AlとN2を原料としたシンプルかつクリーンな方法であるElementary source Vapor Phase Epitaxy (EVPE)法を提唱している. これまでに,EVPE法によってAlN厚膜(18 μm)がサファイア基板上に成長できること,AlN/サファイア界面に形成されるボイドの効果によりAlNはクラックフリーであることを見出している.今回,このボイドを含む界面状態は,N2の供給タイミングにより制御できることがわかった.過剰にボイドを形成した場合,自然剥離も可能であり,将来的にバルクAlNを作製した際には基板除去のプロセスを回避できる可能性を示唆している.サファイア上のクラックフリーAlNと自然剥離したAlNを比較したところ,前者には熱応力に起因した歪が残存しており,後者ではこの歪がほとんど緩和されていることが確認できた.また,AlN膜厚増加に伴い転位密度が減少する傾向を見出した.これは成長初期におけるボイドを介した三次元島の横方向成長に伴う転位の対消滅によるものと考えている. 
(英) We have proposed Elementary source Vapor Phase Epitaxy (EVPE) as a new AlN bulk growth method, which is a simple and clean method using Al and N2 as precursors. When AlN is grown on sapphire using the EVPE method, voids are formed at the AlN/sapphire interface, which assists the growth of crack-free AlN thick films (18 μm). This report shows that the state of the interface including these voids can be controlled via the supply timing of N2. If excessive voids are formed, self-separation is also possible, suggesting the elimination of the substrate-removal process when bulk AlN is fabricated in the future. Comparison of crack-free AlN on sapphire and self-separating AlN shows that strain due to thermal stress remains in the former, and is almost relaxed in the latter. Moreover, the dislocation densities decrease as the thickness increases. This is probably because high density dislocations near the AlN/sapphire interface terminate each other by a lateral growth across voids at the initial growth stage.
キーワード (和) AlN / バルク / EVPE / 自発分離 / / / /  
(英) AlN / Bulk / EVPE / Self-separation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 358, LQE2016-87, pp. 71-74, 2016年12月.
資料番号 LQE2016-87 
発行日 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87

研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2016-12-12 - 2016-12-13 
開催地(和) 京大桂キャンパス 
開催地(英) Kyoto University 
テーマ(和) 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 
テーマ(英) Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2016-12-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Crystal growth of bulk AlN by a clean process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlN / AlN  
キーワード(2)(和/英) バルク / Bulk  
キーワード(3)(和/英) EVPE / EVPE  
キーワード(4)(和/英) 自発分離 / Self-separation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸元 克浩 / Katsuhiro Kishimoto / キシモト カツヒロ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 呉 珮岑 / Wu PeiTsen / ゴ ペイツエン
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-12-13 10:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2016-71, CPM2016-104, LQE2016-87 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) 
ページ範囲 pp.71-74 
ページ数
発行日 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) 


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