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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-13 14:40 テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 ○藤井高志（立命館大/PNP）・達 紘平・荒木 努・名西やすし（立命館大）・岩本敏志・佐藤幸徳（PNP）・長島 健（摂南大）  ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94 |
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| 抄録 | （和） | 多くの 無機半導体中電子の散乱時間（τ）は、おおよそ0.1psecオーダーである。そのため、複素導電率のTHz周波数帯での分散特性を解析することにより、キャリア濃度や移動度などの電気特性を求めることができる。我々は、新たにTHz時間領域分光エリプソメトリーを開発し、これを用いることにより、GaNやSiCのエピタキシャル膜のキャリア濃度、移動度、膜厚を、非接触・非破壊での測定に成功した。さらに、この応用のための装置を開発した。 |
| （英） | Scattering time () of several inorganic semiconductors are around 10-1 psec. Therefore, electric properties, such as carrier density and mobility, can be obtained by analyzing the dispersion of conductivity ranging for THz regions. We have developed the THz Time-domain Ellipsometry and measured the carrier density, the mobility and the thickness of GaN and SiC epitaxal layer without contact and destruction. Furthermore, we have fabricated the apparatus for characterization of electric properties. | |
| キーワード | （和） | テラヘルツ / エリプソメトリー / ワイドギャップ半導体 / GaN / SiC / / / |
| （英） | Terahertz / Ellipsometry / Wide gap semiconductor / GaN / SiC / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 357, CPM2016-111, pp. 103-106, 2016年12月. | |
| 資料番号 | CPM2016-111 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of electric properties for wide-gap semiconductors using terahertz time-domain elipsometry |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | エリプソメトリー / Ellipsometry |
| キーワード(3)（和/英） | ワイドギャップ半導体 / Wide gap semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 高志 / Takashi Fujii / フジイ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 立命館大学/日邦プレシジョン (略称： 立命館大/PNP) Ritsumeikan Univ/Nippo Precision (略称： RITS/PNP) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 達 紘平 / Kohei Tachi / タチ コウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan Univ (略称： RITS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒木 努 / Tsutomu Araki / アラキ ツトム |
| 第3著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan Univ (略称： RITS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名西 やすし / Yasushi Nanishi / ナニシ ヤスシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan Univ (略称： RITS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩本 敏志 / Toshiyuki Iwamoto / イワモト トシユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日邦プレシジョン株式会社 (略称： PNP) Nippo Precision (略称： PNP) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 幸徳 / Yukinori Sato / サトウ ユキノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日邦プレシジョン株式会社 (略称： PNP) Nippo Precision (略称： PNP) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長島 健 / Takshi Nagashima / ナガシマ タケシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 摂南大学 (略称： 摂南大) Setsunan Univ. (略称： Setsunan Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-13 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2016-78, CPM2016-111, LQE2016-94 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.103-106 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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