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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-13 11:20 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 ○土山和晃・宇都宮 脩・中川翔太・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では、次世代の光電子集積の一つの方法論として我々が提案する、Si/SiO2/GaN-LED基板構造の作製技術およびそれを用いたGaN-µLEDとSi-MOSFETのモノリシック集積技術の実証を行う。作製したSi/SiO2/GaN-LED構造の熱耐性を検証し、Siデバイス層の薄膜化とLED層の許容熱収支からモノリシック集積工程を設計した。最終的に、Si/SiO2/GaN-LED構造に対してGaN-µLEDおよびSi-nMOSFETからなるGaN-µLED用駆動回路の作製を行い、静特性および動特性の評価を行った。その結果、両者ともに致命的な劣化の無い典型的なデバイス特性が得られたことから、本技術による超大規模光電子融合チップの実現が期待される。 |
| （英） | A Si/SiO2/GaN-LED structure was fabricated by surface activated bonding method, and a GaN-µLED driver circuit consisting of a GaN-µLED and a Si-nMOSFET was integrated onto the Si/SiO2/GaN-LED wafer. From a thermal tolerance of Si/SiO2/GaN-LED structure, we found that the high thermal tolerance of a thin top-Si layer on the Si/SiO2/GaN-LED structure allows a monolithic integration process of GaN-based optical devices and Si-integrated circuits. Static characteristics of GaN-µLED and Si-nMOSFET showed typical device performance without critical degradation of either device. A GaN-µLED driver circuit performed over 10 MHz of modulation bandwidth estimated by pulse driving measurement. | |
| キーワード | （和） | 光電子集積回路 / ウェハ接合 / GaN系微小発光ダイオード / モノリシック集積 / / / / |
| （英） | optoelectronic integrated circuit / wafer bonding / GaN-µLED / monolithic integration / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 358, LQE2016-89, pp. 79-83, 2016年12月. | |
| 資料番号 | LQE2016-89 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of wafer structure and monolithic integrated GaN-μLED driver circuit for large-scale optoelectonic chip |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子集積回路 / optoelectronic integrated circuit |
| キーワード(2)（和/英） | ウェハ接合 / wafer bonding |
| キーワード(3)（和/英） | GaN系微小発光ダイオード / GaN-µLED |
| キーワード(4)（和/英） | モノリシック集積 / monolithic integration |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土山 和晃 / Kazuaki Tsuchiyama / ツチヤマ カズアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇都宮 脩 / Shu Utsuhomiya / シュウ ウツノミヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 翔太 / Shota Nakagawa / ナカガワ ショウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山根 啓輔 / Keisuke Yamane / ヤマネ ケイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-13 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2016-73, CPM2016-106, LQE2016-89 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.79-83 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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