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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-15 11:10 2高調波短絡用T型スタブによるリアクティブ終端負荷回路を用いたGaN HEMT高効率電力増幅器 ○髙木裕貴・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2016-138 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2016-138 |
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| 抄録 | （和） | 電力増幅器の更なる高周波領域での高効率化やマルチバンド化は次世代移動通信端末実現において重要な課題である. 我々は, リアクティブ終端処理技術を基に, マルチバンド高効率増幅器を実現してきているが, その際，高調波処理次数の増加に伴う高調波短絡用のλ/4 オープンスタブの主線路に対する接続点数の増加による設計の困難化が問題となっている. そこで，その接続点を減らすために, ２つの高調波を同時に短絡するT 型スタブを用いた回路構成を新たに考案し,4.5GHz 帯GaN HEMT 増幅器試作を通して基礎検討を行った. その結果,4.46GHz で最大付加電力効率68 ％,4.47GHz で最大ドレイン効率73 ％と良好な結果が得られた. |
| （英） | A microwave multiband high-efficiency power ampli er is required for the next-generation mobile communication system to increase information quantity. We have been developing multiband and high-efficiency GaN HEMT ampli ers based on a harmonic reactive termination technique. However, it is difficult for the multiband circuit con guration to increase the treated harmonics, because, for the harmonics, many =4 open-ended stabs have to be connected on one main transmission line with narrow spacing in order to make short points on it. For this issue, a T-shaped stab is employed to make a short point for two harmonics. In addition, a stepped impedance transmission line is employed to adjust reactance values for the two harmonics simultaneously. To verify the proposed circuit con guration, a 4.5-GHz band GaN HEMT ampli er using the T-shaped stab was fabricated. It delivered a maximum power-added efficiency of 68 ％ at 4.46 GHz and a maximum drain efficiency of 73 ％ at 4.47 GHz. | |
| キーワード | （和） | マイクロ波 / 電力増幅器 / 高調波処理 / 高効率 / GaN HEMT / / / |
| （英） | microwave / power ampli er / harmonic tuning / high efficiency / GaN HEMT / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 363, MW2016-138, pp. 35-40, 2016年12月. | |
| 資料番号 | MW2016-138 | |
| 発行日 | 2016-12-08 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2016-138 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2016-138 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2016-12-15 - 2016-12-16 |
| 開催地（和） | 防衛大学校 |
| 開催地（英） | National Defense Academy |
| テーマ（和） | 学生研究会／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Students Session / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2016-12-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 2高調波短絡用T型スタブによるリアクティブ終端負荷回路を用いたGaN HEMT高効率電力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A High-Efficiency GaN HEMT Power Amplifier with Harmonic Reactive Termination using a T Shaped Stab for Two Harmonics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 電力増幅器 / power ampli er |
| キーワード(3)（和/英） | 高調波処理 / harmonic tuning |
| キーワード(4)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(5)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 髙木 裕貴 / Yuki Takagi / タカギ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-15 11:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2016-138 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.363 |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-12-08 (MW) |
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