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| 講演名 | 2016-12-15 15:30 ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリにおけるデータ保持エラーの低減 ○佐藤優一・出口慶明・小林惇朗・竹内 健（中大）  ICD2016-76 CPSY2016-82 |
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| 抄録 | （和） | NAND型フラッシュメモリは多値化や微細化により、1bit当たりのコストが低下している。しかし、一つのメモリセルに3bitを保存するTLC NAND型フラッシュメモリでは、しきい値電圧間の読み出しマージンが狭くなるため信頼性が悪化する。また、データの書き換えにより、トンネル酸化膜中に電子を捕獲するトラップが生成される。そのトラップを介して電子が浮遊ゲートから抜け落ちることでデータ保持エラーが発生する。さらに微細化により、一つの電子が抜け落ちたときのしきい値電圧の減少率は大きくなるため、信頼性が悪化する。本論文では、TLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持エラーの低減手法について報告する。 |
| （英） | The cost of NAND flash memory is reduced by scaling and multi-level cell technologies. However, the reliability of triple-level cell (TLC : 3-bit/cell) NAND flash is degraded due to the narrower read margins. Moreover, due to the write/erase endurance stress, traps which may capture electrons are generated in the tunnel oxide. Data-retention error is caused by ejecting electrons from the floating-gate via traps. Reliability is degraded by scaling since the threshold voltage is more decreased when one electron ejects. This paper reports data-retention error reduction technique of TLC NAND flash memory. | |
| キーワード | （和） | NAND フラッシュメモリ / 信頼性 / / / / / / |
| （英） | NAND flash memory / Reliability / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-76, pp. 75-75, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ICD2016-76 | |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2016-76 CPSY2016-82 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD CPSY |
| 開催期間 | 2016-12-15 - 2016-12-16 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-12-ICD-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TLC NAND型フラッシュメモリにおけるデータ保持エラーの低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of Data-Retention Error in TLC NAND Flash Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 優一 / Yuichi Sato / サトウ ユウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出口 慶明 / Yoshiaki Deguchi / デグチ ヨシアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 惇朗 / Atsuro Kobayashi / コバヤシ アツロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-15 15:30:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2016-76, CPSY2016-82 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.364(ICD), no.365(CPSY) |
| ページ範囲 | p.75 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
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