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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-15 15:30 ［ポスター講演］NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析 ○榊 佑季哉・山賀祐典・竹内 健（中大）  ICD2016-69 CPSY2016-75 |
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| 抄録 | （和） | NAND型フラッシュメモリのメモリセルは年々微細化され、チップ容量の大容量化が成されている一方で、ビットエラーが増大し、信頼性が低下するといったトレードオフが存在する。NAND型フラッシュメモリは浮遊ゲートに電子を蓄えることによって情報を記録する。しかし、微細化によって容量結合によるセル間干渉雑音の増大や、浮遊ゲート内に蓄えられる電子の数の減少によりしきい値電圧の変化が顕著になる。その結果、書き込みディスターブエラーや読み出しディスターブエラー、データ保持エラーの増加を引き起こす。本論文では書き換え回数やデータ保持時間を変化させた場合における複数の世代のNAND型フラッシュメモリのエラーパターンを解析した。 |
| （英） | The capacity of NAND flash memory can be expanded by memory cell scaling. However, bit-errors are increased by memory cell scaling and reliability of NAND flash memory is decreased. NAND flash memory can store the data by injection electrons into the floating-gate. However, due to increases of inter-cell coupling noise and decreases of injection electrons, changes of VTH become remarkable by memory cell scaling. As a result, read-disturb error, program-disturb error, and data-retention error are occurred. This paper analyzes error pattern of some generations of NAND flash memory with various Write/Erase cycle and data-retention time. | |
| キーワード | （和） | NAND型フラッシュメモリ / ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / 基礎特性 / / / / / |
| （英） | NAND flash memory / solid-state-drive / basic properties / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-69, pp. 57-57, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ICD2016-69 | |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2016-69 CPSY2016-75 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD CPSY |
| 開催期間 | 2016-12-15 - 2016-12-16 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-12-ICD-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Error Pattern Analysis among Scaled Generations of NAND Flash Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / solid-state-drive |
| キーワード(3)（和/英） | 基礎特性 / basic properties |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榊 佑季哉 / Yukiya Sakaki / サカキ ユキヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山賀 祐典 / Yusuke Yamaga / ヤマガ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-15 15:30:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2016-69, CPSY2016-75 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.364(ICD), no.365(CPSY) |
| ページ範囲 | p.57 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
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