お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-15 15:30
[ポスター講演]NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析
榊 佑季哉山賀祐典竹内 健中大ICD2016-69 CPSY2016-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-69
抄録 (和) NAND型フラッシュメモリのメモリセルは年々微細化され、チップ容量の大容量化が成されている一方で、ビットエラーが増大し、信頼性が低下するといったトレードオフが存在する。NAND型フラッシュメモリは浮遊ゲートに電子を蓄えることによって情報を記録する。しかし、微細化によって容量結合によるセル間干渉雑音の増大や、浮遊ゲート内に蓄えられる電子の数の減少によりしきい値電圧の変化が顕著になる。その結果、書き込みディスターブエラーや読み出しディスターブエラー、データ保持エラーの増加を引き起こす。本論文では書き換え回数やデータ保持時間を変化させた場合における複数の世代のNAND型フラッシュメモリのエラーパターンを解析した。 
(英) The capacity of NAND flash memory can be expanded by memory cell scaling. However, bit-errors are increased by memory cell scaling and reliability of NAND flash memory is decreased. NAND flash memory can store the data by injection electrons into the floating-gate. However, due to increases of inter-cell coupling noise and decreases of injection electrons, changes of VTH become remarkable by memory cell scaling. As a result, read-disturb error, program-disturb error, and data-retention error are occurred. This paper analyzes error pattern of some generations of NAND flash memory with various Write/Erase cycle and data-retention time.
キーワード (和) NAND型フラッシュメモリ / ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / 基礎特性 / / / / /  
(英) NAND flash memory / solid-state-drive / basic properties / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-69, pp. 57-57, 2016年12月.
資料番号 ICD2016-69 
発行日 2016-12-08 (ICD, CPSY) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2016-69 CPSY2016-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-69

研究会情報
研究会 ICD CPSY  
開催期間 2016-12-15 - 2016-12-16 
開催地(和) 東京工業大学 
開催地(英) Tokyo Institute of Technology 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2016-12-ICD-CPSY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Error Pattern Analysis among Scaled Generations of NAND Flash Memories 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory  
キーワード(2)(和/英) ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / solid-state-drive  
キーワード(3)(和/英) 基礎特性 / basic properties  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 榊 佑季哉 / Yukiya Sakaki / サカキ ユキヤ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山賀 祐典 / Yusuke Yamaga / ヤマガ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第3著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2016-12-15 15:30:00 
発表時間 120分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2016-69, CPSY2016-75 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.364(ICD), no.365(CPSY) 
ページ範囲 p.57 
ページ数
発行日 2016-12-08 (ICD, CPSY) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会