講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-12-15 11:30
単一GaN HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2周波同時増幅動作時の大信号特性の検討及び線形性改善 ○丸山有彗・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦(電通大) MW2016-139 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2016-139 |
抄録 |
(和) |
マイクロ波帯におけるマルチアクセスを可能にする電力増幅器はこれまで詳しい検討がなされておらず,同時増幅動作時の出力電力特性や効率特性の振る舞いは明らかになっていない.
そこで単一GaN,HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2周波数同時増幅入出力特性を検討するため,FETの$V_{g}I_{d}$特性を用いた同時増幅動作時の解析を行い混変調ひずみによる入出力電力特性の基本的な劣化を確認した.
また低入力レベルでの特性劣化に対して2次相互変調成分を短絡させるスタブを入力側整合回路に付け加えた構成を提案した.
試作評価を行い線形特性の劣化改善に効果があることを確認した. |
(英) |
Power amplifiers that enable multi-access in the microwave band have not been studied in detail so far, and the behavior of the output power and efficiency characteristics simultaneous amplification has not been clarified.
To investigate output characteristics of the dual band power amplifier in concurrent operation mode using a single GaN,HEMT , the concurrent amplification operation using the $V_{g}I_{d}$ characteristics of the FET were analyzed and the output power compression by cross modulation was expected.
The fabricated GaN,HEMT amplifier showed abnormal output versus input nonliner power response at low input power level.
A stub for short-circuiting second order intermodulation component was added to the input matching circuit and the abnormal response was improved successfully. |
キーワード |
(和) |
マイクロ波 / デュアルバンド電力増幅器 / 2波同時増幅動作 / / / / / |
(英) |
Microwave / Dual-band power amplifier / Concurrent operation mode / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 363, MW2016-139, pp. 41-46, 2016年12月. |
資料番号 |
MW2016-139 |
発行日 |
2016-12-08 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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