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講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-15 11:30
単一GaN HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2周波同時増幅動作時の大信号特性の検討及び線形性改善
丸山有彗高山洋一郎石川 亮本城和彦電通大MW2016-139 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2016-139
抄録 (和) マイクロ波帯におけるマルチアクセスを可能にする電力増幅器はこれまで詳しい検討がなされておらず,同時増幅動作時の出力電力特性や効率特性の振る舞いは明らかになっていない.
そこで単一GaN,HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2周波数同時増幅入出力特性を検討するため,FETの$V_{g}I_{d}$特性を用いた同時増幅動作時の解析を行い混変調ひずみによる入出力電力特性の基本的な劣化を確認した.
また低入力レベルでの特性劣化に対して2次相互変調成分を短絡させるスタブを入力側整合回路に付け加えた構成を提案した.
試作評価を行い線形特性の劣化改善に効果があることを確認した. 
(英) Power amplifiers that enable multi-access in the microwave band have not been studied in detail so far, and the behavior of the output power and efficiency characteristics simultaneous amplification has not been clarified.
To investigate output characteristics of the dual band power amplifier in concurrent operation mode using a single GaN,HEMT , the concurrent amplification operation using the $V_{g}I_{d}$ characteristics of the FET were analyzed and the output power compression by cross modulation was expected.
The fabricated GaN,HEMT amplifier showed abnormal output versus input nonliner power response at low input power level.
A stub for short-circuiting second order intermodulation component was added to the input matching circuit and the abnormal response was improved successfully.
キーワード (和) マイクロ波 / デュアルバンド電力増幅器 / 2波同時増幅動作 / / / / /  
(英) Microwave / Dual-band power amplifier / Concurrent operation mode / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 363, MW2016-139, pp. 41-46, 2016年12月.
資料番号 MW2016-139 
発行日 2016-12-08 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MW2016-139 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2016-139

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2016-12-15 - 2016-12-16 
開催地(和) 防衛大学校 
開催地(英) National Defense Academy 
テーマ(和) 学生研究会/マイクロ波一般 
テーマ(英) Students Session / Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2016-12-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 単一GaN HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2周波同時増幅動作時の大信号特性の検討及び線形性改善 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Large Signal Characteristics and Linearity Improvement for Single-GaN HEMT Dual-Band Power Amplifier in Concurrent Operation Mode 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) マイクロ波 / Microwave  
キーワード(2)(和/英) デュアルバンド電力増幅器 / Dual-band power amplifier  
キーワード(3)(和/英) 2波同時増幅動作 / Concurrent operation mode  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸山 有彗 / Arisu Maruyama / マルヤマ アリス
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo /
第4著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-12-15 11:30:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 MW 
資料番号 MW2016-139 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.363 
ページ範囲 pp.41-46 
ページ数
発行日 2016-12-08 (MW) 


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