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| 講演名 | 2016-12-15 15:30 ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持特性を利用した高信頼化手法 ○中村俊貴・出口慶明・竹内 健（中大）  ICD2016-73 CPSY2016-79 |
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| 抄録 | （和） | NAND型フラッシュメモリは1つのメモリセルに対して複数のビットを記録することで大容量化を実現している。中でも1つのメモリセルに3ビット記録するものをTLC NAND型フラッシュメモリという。TLC NAND型フラッシュメモリは大容量、低コストである一方、しきい値電圧間の読み出しマージン縮小に伴いデータ保持エラーによる信頼性の悪化が問題となる。データ保持エラーとはトンネル酸化膜の劣化により、浮遊ゲートに存在していた電子が時間経過とともに抜け落ち保存していた情報を失うエラーである。そこで、本論文ではTLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持エラーを調査し、その特性を利用した高信頼化手法を検討した。 |
| （英） | The capacity of NAND flash memory can be expanded by multi-level cell technology. In particular, 3-bit/cell triple-level cell (TLC) NAND flash memory realizes extremely high capacity and low cost. However, its narrower read margins of threshold voltage distribution increase data-retention error which degrades the reliability. Data-retention error is caused by ejecting electrons from the floating-gate with data-retention time due to the deterioration of the tunnel oxide. This paper analyzes data-retention error and reports highly reliable method with data-retention characteristics of TLC NAND flash memory. | |
| キーワード | （和） | NANDフラッシュメモリ / 信頼性 / / / / / / |
| （英） | NAND flash memory / Reliability / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 364, ICD2016-73, pp. 65-65, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ICD2016-73 | |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2016-73 CPSY2016-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD CPSY |
| 開催期間 | 2016-12-15 - 2016-12-16 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-12-ICD-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持特性を利用した高信頼化手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Highly Reliable Method with Data-Retenrion Characteristics in TLC NAND Flash Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 俊貴 / Toshiki Nakamura / ナカムラ トシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出口 慶明 / Yoshiaki Deguchi / デグチ ヨシアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-15 15:30:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2016-73, CPSY2016-79 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.364(ICD), no.365(CPSY) |
| ページ範囲 | p.65 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
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