講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-12-19 14:40
InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史(NICT)・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介(富士通研)・三村高志(富士通研/NICT) ED2016-81 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-81 |
抄録 |
(和) |
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 KにおけるDC,RF特性を,種々のドレイン側リセス長Lrdにおいて測定した.16 Kにおけるドレイン電流-電圧(I-V)特性は,全てのLrdの場合においてキンクを示した.遮断周波数fTの最高値は,300,16 Kの両方においてLrdの増大につれて減少する.一方,最大発振周波数fmaxは,300,16 Kの両方において非常に複雑な挙動を示す.各温度,各ドレイン電圧において,fmaxを増大させる最適なLrdが存在することが分かった.また,等価回路パラメータを抽出し,fTとfmaxの傾向について考察した.fTは相互コンダクタンスgmとゲート容量Cgで構成されるが,Lrdの増加に伴ってgmは減少しCgは増大する.fmaxは主にドレインコンダクタンスgdとゲート・ドレイン容量Cgdの傾向を反映し,Lrdが長い領域ではgd,Lrdが短い領域ではCgdの影響が比較的大きいようである. |
(英) |
We measured the DC and RF characteristics of InP-based 75-nm-gate In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTs with various drain-side recess lengths Lrd’s at 300 and 16 K. The kink phenomenon was seen in the current-voltage (I-V) characteristics for all the measured HEMTs at 16 K. The peak cutoff frequency fT decreases with increasing Lrd both at 300 and 16 K. On the other hand, the maximum oscillation frequency fmax shows very complicated behavior both at 300 and 16 K. We found that there exists the most suitable Lrd value to increase fmax at each temperature and/or drain-source voltage Vds. Furthermore, we extracted the equivalent circuit parameters and discussed the trend of fT and fmax values. fT can be expressed by transconductance gm and gate capacitance Cg. gm decreases with increasing Lrd and Cg increases with increasing Lrd. fmax is mainly reflects the trend of drain conductance gd and gate-drain capacitance Cgd. The effect of gd is relatively large in the the longer Lrd region and the effect of Cgd is relatively large in the shorter Lrd region. |
キーワード |
(和) |
InP HEMT / InAlAs/InGaAs / 低温特性 / ドレイン側リセス長 / 遮断周波数 / 最大発振周波数 / 等価回路パラメータ / |
(英) |
InP HEMT / InAlAs/InGaAs / Cryogenic characteristics / Drain-side recess length / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency / Equivalent circuit parameters / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 375, ED2016-81, pp. 7-12, 2016年12月. |
資料番号 |
ED2016-81 |
発行日 |
2016-12-12 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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