講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-12-19 16:30
直列アレイ化とレンズ集積による非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタのテラヘルツ波受光効率向上 ○細谷友崇・糟谷文月・谷口弘樹・渡辺隆之・末光哲也・尾辻泰一(東北大)・瀧田佑馬・伊藤弘昌・南出泰亜(理研)・石橋忠夫(NTTエレクトロニクステクノ)・清水 誠(NEL)・佐藤 昭(東北大) ED2016-84 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-84 |
抄録 |
(和) |
室温動作可能、高速応答可能なテラヘルツ受光デバイスとして、非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタ(ADGG-HEMT)が注目されている。しかし、テラヘルツ波の自由空間での集光スポットサイズに比べ、ADGG-HEMTのアクティブエリアが小さく、受光効率が低いことが課題の一つである。そこで本稿では、1) 直列アレイ化による実効アクティブエリア増大、2) 超半球シリコンレンズ集積によるスポットサイズ縮小の2つの方法で、受光効率の改善を試みた。4素子直列アレイ化では約4倍、シリコンレンズ集積では約6倍の感度向上を確認したことを報告する。またシリコンレンズ集積については、入射テラヘルツ波の周波数特性についても議論する。 |
(英) |
Asymmetric-dual-grating-gate high-electron-mobility-transistors (ADGG-HEMTs) are expected for room-temperature operating, high-speed THz detectors. However, their low light receiving efficiency is one of serious concerns because the focused spot size of free space THz wave is much smaller than the active area of ADGG-HEMTs. To improve this, we examine 1) increasing the effective active area by implementing series array of detectors and 2) shrinking the spot size by integrating a detector with a hyper-hemispherical silicon lens. We report the 4-fold enhancement of responsivity by series array of 4 detectors and the 6-fold enhancement by the silicon lens integration. Also, we discuss the frequency characteristics on silicon lens module. |
キーワード |
(和) |
HEMT / プラズモン / テラヘルツ検出器 / アレイ / Siレンズ / / / |
(英) |
HEMT / Plasmon / THz detector / array / Si lens / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 375, ED2016-84, pp. 23-28, 2016年12月. |
資料番号 |
ED2016-84 |
発行日 |
2016-12-12 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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