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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-01-26 15:50 ［依頼講演］GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題 ○乙木洋平（SCIOCS）  ED2016-100 MW2016-176 |
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| 抄録 | （和） | GaN電子デバイスは高周波用途を中心に実用化がすすんでいる。エピタキシャル成長においては、GaAs系にくらべ、成長条件の許容幅が狭く、高精度の制御が必要である。また、結晶中にトラップとなる点欠陥があり、これらを知り、制御することが非常に重要である。最近、高品質なGaN基板を使用することにより、ショットキー特性の改善、線形性の改良、耐圧の増加など、デバイスの高性能化が多く報告されている。近い将来の実用化が期待される |
| （英） | GaN electronic devices have been in the practical stage mainly for high frequency applications. In epitaxial growth, the tolerance range of growth conditions is narrower than that of GaAs, and then very precise control is necessary. In addition, since there are point defects which become traps in the crystal, it is very important to know and control them. Recently, improvements of device performance such as Schottky characteristics, linearity, high breakdown voltage, by using a high quality GaN substrate have been reported. Use of the substrate is expected in the near future | |
| キーワード | （和） | GaN / エピタキシャル成長 / HEMT / 電子デバイス / MOCVD / GaN 基板 / デバイス特性 / |
| （英） | GaN / epitaxial growth / HEMT / Eletronic Devices / MOCVD / GaN substrate / Device performance / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 431, ED2016-100, pp. 19-22, 2017年1月. | |
| 資料番号 | ED2016-100 | |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-100 MW2016-176 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current status and problems of epitaxial wafers for GaN electronic devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 電子デバイス / Eletronic Devices |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(6)（和/英） | GaN 基板 / GaN substrate |
| キーワード(7)（和/英） | デバイス特性 / Device performance |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 乙木 洋平 / Yohei Otoki / |
| 第1著者 所属（和/英） | SCIOCS (略称： SCIOCS) SCIOCS (略称： SCIOCS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-01-26 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-100, MW2016-176 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.431(ED), no.432(MW) |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
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