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講演抄録/キーワード
講演名 2017-01-26 16:15
[依頼講演]金属/GaNショットキー接触の評価 ~ 黎明期からの振り返り ~
塩島謙次福井大ED2016-101 MW2016-177 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-101 MW2016-177
抄録 (和) 本講演では我々の研究機関で得られた金属/GaNショットキー接触に関する知見を黎明期から振り返り、GaN電子デバイス開発の進展を展望する.(i)耐熱電極を模索した熱劣化過程の評価、(ii)GaNの代表的な結晶欠陥である転位と電極特性の相関、(iii)低Mgドーピングによるp-GaNショットキー接触の実現、及び表面欠陥の評価、(iv)清浄な表面を劈開法で得たm面n-GaNショットキー接触、(v)電極界面を2次元評価出来る界面顕微光応答法による界面反応、高電界印加劣化過程の評価について述べる. 
(英) We report our experimental results on GaN Schottky contacts in conjunction with a review of the development of GaN electron devices. We describe (i) thermal stability, (ii) correlation between dislocations and electrical characteristics (iii) current transport mechanism of p-GaN contacts, (iv) cleaved m-plane n-GaN Schottky contacts, and (v) mapping of the interfaces using scanning internal photoemission microscopy.
キーワード (和) GaN / ショットキー電極 / 障壁高さ / 電流輸送機構 / / / /  
(英) GaN / Schottky contact / Schottky barrier height / Current transport mechanism / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 431, ED2016-101, pp. 23-28, 2017年1月.
資料番号 ED2016-101 
発行日 2017-01-19 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2016-101 MW2016-177 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-101 MW2016-177

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2017-01-26 - 2017-01-27 
開催地(和) 機械振興会館地下2階1号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2017-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 金属/GaNショットキー接触の評価 
サブタイトル(和) 黎明期からの振り返り 
タイトル(英) Characterization of Metal/GaN Schottky Contacts 
サブタイトル(英) Review from the Early Days 
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) ショットキー電極 / Schottky contact  
キーワード(3)(和/英) 障壁高さ / Schottky barrier height  
キーワード(4)(和/英) 電流輸送機構 / Current transport mechanism  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ
第1著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukuiv (略称: Univ. of Fukui)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-01-26 16:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2016-101, MW2016-177 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.431(ED), no.432(MW) 
ページ範囲 pp.23-28 
ページ数
発行日 2017-01-19 (ED, MW) 


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