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| 講演名 | 2017-01-27 09:30 ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀・岩井大介・岡本直哉・渡部慶二（富士通研）  ED2016-102 MW2016-178 |
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| 抄録 | （和） | ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワードダイオードを開発してきた。このGaAsSb系バックワードダイオードはゼロバイアスで動作し、高い検波感度を有することが特徴である。今回は雑音特性に影響を与える接合抵抗（Rj）を低減するため、i-InAlAsバリア層を抜いたp+-GaAs0.51Sb0.49/n-In0.53Ga0.47As構造を検討した。94～300 GHzの感度はi-In0.52Al0.48Asバリア層を設けた方が高かったが、雑音特性（NEP）はバリア層が無い方が大幅に改善した。NEPの改善はRjの低減による効果と考えられる。InP HEMTと集積化した場合、高感度なミリ波およびテラヘルツ波受信器が実現できる。 |
| （英） | Noise characteristics of zero-bias backward diodes for terahertz detectors were improved by using a p+-GaAs0.51Sb0.49/n-In0.53Ga0.47As heterojunction structure. Junction resistance was successfully decreased by removing an i-In0.52Al0.48As barrier layer from a conventional p+-GaAs0.51Sb0.49/i-In0.52Al0.48As/n-In0.53Ga0.47As structure. Although sensitivity indicated slight decrease, noise equivalent power (NEP) was drastically improved from 303 to 64 pW/Hz1/2 at 300 GHz | |
| キーワード | （和） | トンネルダイオード / バックワード / ミリ波 / テラヘルツ波 / GaAsSb / 雑音 / 検波 / 感度 |
| （英） | Tunnel diode / Backward / Millimeter wave / Terahertz wave / GaAsSb / Noise / Detection / Sensitivity | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 431, ED2016-102, pp. 29-33, 2017年1月. | |
| 資料番号 | ED2016-102 | |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-102 MW2016-178 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement in Noise Characteristics of Zero-bias GaAsSb-based Backward Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルダイオード / Tunnel diode |
| キーワード(2)（和/英） | バックワード / Backward |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / Millimeter wave |
| キーワード(4)（和/英） | テラヘルツ波 / Terahertz wave |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsSb / GaAsSb |
| キーワード(6)（和/英） | 雑音 / Noise |
| キーワード(7)（和/英） | 検波 / Detection |
| キーワード(8)（和/英） | 感度 / Sensitivity |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 大介 / Taisuke Iwai / イワイ タイスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 直哉 / Naoya Okamoto / オカモト ナオヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡部 慶二 / Keiji Watanabe / ワタナベ ケイジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-01-27 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-102, MW2016-178 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.431(ED), no.432(MW) |
| ページ範囲 | pp.29-33 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
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