講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-01-27 11:34
Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2016-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2016-45 |
抄録 |
(和) |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって,c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を行った.低温緩衝層を基板温度590 Cおよび NH3流量1500 sccmの条件で行った後,GaN薄膜の成長を基板温度1050~1100 C, NH3流量500~1500 sccmの範囲で行った.X線回折,表面・断面形状およびフォトルミネッセンスによる評価から,得られたGaN膜の膜構造および発光特性が,薄膜成長時のNH3ガス流量と成長温度に依存することがわかった.特に,基板温度1100 C, NH3流量500 sccmの条件により,表面が平坦な膜状結晶のGaN薄膜が得られた. |
(英) |
Gallium nitride (GaN) thin films were grown on c-plane sapphire substrates by chemical vapor deposition using Ga vapor and NH3 gas. Low-temperature buffer layer was deposited at a substrate temperature (Tg) of 590 C and a NH3 gas flow rate (F(NH3)) of 1500 sccm, which was followed by the growth of GaN thin films at Tg of 1050~1100 C and F(NH3) of 500~1500 sccm. X-ray diffraction, surface and cross-sectional morphology, and photoluminescence have shown that the film structure and the luminescence property of the GaN thin films depend on Tg and F(NH3). We have found that the flat GaN thin film was grown at Tg of 1100 C and F(NH3) 500 sccm. |
キーワード |
(和) |
窒化ガリウム / 化学気相法 / 薄膜成長 / / / / / |
(英) |
Gallium nitride / Chemical vapor deposition / thin film growth / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 430, EID2016-45, pp. 125-128, 2017年1月. |
資料番号 |
EID2016-45 |
発行日 |
2017-01-19 (EID) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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