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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-01-27 11:34 Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大）  EID2016-45 |
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| 抄録 | （和） | Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を行った．低温緩衝層を基板温度590 Cおよび NH3流量1500 sccmの条件で行った後，GaN薄膜の成長を基板温度1050～1100 C, NH3流量500~1500 sccmの範囲で行った．X線回折，表面・断面形状およびフォトルミネッセンスによる評価から，得られたGaN膜の膜構造および発光特性が，薄膜成長時のNH3ガス流量と成長温度に依存することがわかった．特に，基板温度1100 C， NH3流量500 sccmの条件により，表面が平坦な膜状結晶のGaN薄膜が得られた． |
| （英） | Gallium nitride (GaN) thin films were grown on c-plane sapphire substrates by chemical vapor deposition using Ga vapor and NH3 gas. Low-temperature buffer layer was deposited at a substrate temperature (Tg) of 590 C and a NH3 gas flow rate (F(NH3)) of 1500 sccm, which was followed by the growth of GaN thin films at Tg of 1050~1100 C and F(NH3) of 500~1500 sccm. X-ray diffraction, surface and cross-sectional morphology, and photoluminescence have shown that the film structure and the luminescence property of the GaN thin films depend on Tg and F(NH3). We have found that the flat GaN thin film was grown at Tg of 1100 C and F(NH3) 500 sccm. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / 化学気相法 / 薄膜成長 / / / / / |
| （英） | Gallium nitride / Chemical vapor deposition / thin film growth / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 430, EID2016-45, pp. 125-128, 2017年1月. | |
| 資料番号 | EID2016-45 | |
| 発行日 | 2017-01-19 (EID) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2016-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID ITE-IDY IEE-EDD IEIJ-SSL SID-JC |
| 開催期間 | 2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地（和） | 徳島大学 |
| 開催地（英） | Tokushima Univ. |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | Joint Meeting of Emissive/Non-emissive Displays |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2017-01-EID-IDY-EDD-SSL-JC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN thin films by chemical vapor deposition using Ga vapor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 化学気相法 / Chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜成長 / thin film growth |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深澤 研介 / Kensuke Fukasawa / フカサワ ケンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長瀬 剛 / Tsuyoshi Nagase / ナガセ ツヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増田 裕一郎 / Yuichirou Masuda / マスダ ユウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 光野 徹也 / Tetsuya Kouno / コウノ テツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小南 裕子 / Hiroko Kominami / コミナミ ヒロコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 和彦 / Hara kazuhiko / ハラ カズヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-01-27 11:34:00 |
| 発表時間 | 8分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2016-45 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.430 |
| ページ範囲 | pp.125-128 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (EID) |
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