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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-01-27 14:25 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 ○桑田英悟・杉本篤夫・小山英寿・加茂宣卓・幸丸竜太・山中宏治（三菱電機）  ED2016-110 MW2016-186 |
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| 抄録 | （和） | 高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている．この高電圧半導体にマッチした，小型な回路でインピーダンス変成比の低減を実現する直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を提案する．更に提案した直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku 帯10 W 級GaN 高出力高効率広帯域MMIC 増幅器の試作結果を報告し，提案回路が有効であることを示す． |
| （英） | This paper reports on a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) high power amplifier (HPA), which features high efficiency and high power over C-Ku band with 115 % relative bandwidth. The amplifier uses a series-shunt inductor matching network to reduce chip size and the impedance transformation ratio in the interstage matching. The fabricated MMIC chip dimensions are 4.15 mm by 4 mm. Measured small signal gain exceeds 15.4 dB and the output power reaches 40.2 ~ 41.6 dBm with PAE of 17.3 ~ 30.5% over the C-Ku band at 25 V power supply voltage. With a CW output power ripple of 1.4 dB, this work shows significant improvement compared to previous work. | |
| キーワード | （和） | 増幅器 / 高出力増幅器 / MMIC / 3 倍帯域 / GaN HEMT / 広帯域 / / |
| （英） | Amplifiers / High Power Amplifier / MMIC / Band width / GaN HEMT / Broadband / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 432, MW2016-186, pp. 75-79, 2017年1月. | |
| 資料番号 | MW2016-186 | |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-110 MW2016-186 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2017-01-26 - 2017-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2017-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-Ku band over 10 W Broadband Power Amplifier using Broadband Series-Shunt Inductor Matching Network |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 増幅器 / Amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | 高出力増幅器 / High Power Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | 3 倍帯域 / Band width |
| キーワード(5)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | 広帯域 / Broadband |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata / クワタ エイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉本 篤夫 / Atsuo Sugimoto / スギモト アツオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 英寿 / Hidetoshi Koyama / コヤマ ヒデトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka Kamo / カモ ヨシタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 幸丸 竜太 / Ryota Komaru / コウマル リョウタ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-01-27 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2016-110, MW2016-186 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.431(ED), no.432(MW) |
| ページ範囲 | pp.75-79 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
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