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| 講演名 | 2017-04-20 13:50 ［依頼講演］IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路 ○鶴見洸太・田中誠大・竹内 健（中大）  ICD2017-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2017-5 |
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| 抄録 | （和） | IoTローカルデバイスに組み込まれるデータストレージとしてNAND型フラッシュメモリが注目されている。IoTローカルデバイスは低電圧動作が求められるため、搭載されるNAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路の低電圧化が要求されている。本論文では1.0V動作するNAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路を提案する。これまでに提案された回路は、1.8V動作を想定しNAND型フラッシュプロセスのみで構成されている。NAND型フラッシュプロセスと0.18um CMOSプロセスを組み合わせることにより、従来回路と比較して89%昇圧時間を削減、チップコストを15%削減可能である。 |
| （英） | NAND flash memory is considered as candidates for data storage of IoT local devices. The NAND flash memory program voltage generator with low supply voltage is required, due to IoT local devices operates low power. In this paper, 1.0V operation NAND flash memory program voltage generator is proposed. In the conventional, the 1.8V operation boost converter is fabricated with NAND flash process is proposed. On the other hand, the proposed boost converter consists of NAND flash process and standard CMOS process. As a result, the proposed boost converter decreases 89% ramp-up time and reduces about 15 % chip cost compared with the conventional boost converter. | |
| キーワード | （和） | IoT / ブーストコンバータ / NAND型フラッシュメモリ / IoTローカルデバイス / / / / |
| （英） | IoT / boost converter / NAND flash memory / IoT local devices / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-5, pp. 23-28, 2017年4月. | |
| 資料番号 | ICD2017-5 | |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2017-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2017-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2017-04-20 - 2017-04-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路関連一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2017-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 1.0 V Operation NAND Flash Memory Program Voltage Generator Fabricated with Standard CMOS Process and NAND Flash Process for IoT Local Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | IoT / IoT |
| キーワード(2)（和/英） | ブーストコンバータ / boost converter |
| キーワード(3)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(4)（和/英） | IoTローカルデバイス / IoT local devices |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鶴見 洸太 / Kota Tsurumi / ツルミ コウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo university (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 誠大 / Masahiro Tanaka / タナカ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo university (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo university (略称： Chuo Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-04-20 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2017-5 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.9 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |
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