| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-04-20 14:15 ［依頼講演］リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術 ○中村俊貴・小林惇朗・竹内 健（中大）  ICD2017-6 |
|
| 抄録 | （和） | クラウドデータセンタでは、読み出しが頻繁に行われるホットデータからほとんど読み出しが行われないコールドデータまで、様々なデータが格納されている。本論文では、ホットデータとコールドデータでは閾値電圧の変動が異なることを明らかにした。特にホットデータを保存したTLC NAND型フラッシュメモリは閾値電圧が複雑に変動する。従来のSSDではホット、コールドに関わらず読み出す際に同じ電圧を印加していたため、それぞれのデータに生じるエラーを同時に削減することができない。そこで、ホットデータとコールドデータを異なるメモリ領域に格納する手法を提案し、閾値電圧の変動に応じて最適な読み出し電圧を用いることで読み出しに伴うエラーを85%低減し、読み出し可能回数を6.7倍向上した。 |
| （英） | In cloud data centers, NAND flash memory stores both read-hot and cold data. This paper describes that the threshold voltage distribution shifts are different between hot and cold data. In particular, threshold voltage distribution of hot data shifts complicatedly. In the conventional SSD, hot and cold data are mixed in the same NAND flash block. Thus, different read voltages cannot be applied. To solve this problem, this paper proposes SSD controller which allocates hot or cold data in hot or cold regions in TLC NAND flash. Then, apply optimal read voltages both hot and cold data. As a result, measured errors decrease by 85% and measured acceptable read cycles increase by 6.7-times. | |
| キーワード | （和） | NANDフラッシュメモリ / データセンタ / SSD / 信頼性 / / / / |
| （英） | NAND flash memory / data center / SSD / reliability / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-6, pp. 29-34, 2017年4月. | |
| 資料番号 | ICD2017-6 | |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2017-6 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2017-04-20 - 2017-04-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路関連一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2017-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | TLC NAND Flash Memory Control Techniques to Reduce Errors of Read-Hot and Cold Data for Data Centers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | データセンタ / data center |
| キーワード(3)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 俊貴 / Toshiki Nakamura / ナカムラ トシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 惇朗 / Atsuro Kobayashi / コバヤシ アツロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-04-20 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2017-6 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.9 |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]