講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-04-20 13:00
[招待講演]ナノドット型恒久メモリーの研究 ○渡邊 強・三浦典之・劉 施佳・今井繁規・永田 真(神戸大) ICD2017-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2017-4 |
抄録 |
(和) |
ワード線、ビット線の交差部分に配したナノドットの静電容量をデータとして読み取る恒久メモリーを考案し、0.18m CMOSプロセスで作製したテストチップを用いて、読み取り特性の1000年以上の耐久性を検証した。更に、EBL、NILを用いてナノドット、読み取り配線を微細化することにより、1.3Tbit/in2の高密度化が可能であることを明らかにした。 |
(英) |
We propose a permanent digital memory system in which data is saved by a presence of metal nano-dot at interconnects of word line and bit line. The data is retrieved by mutual capacitance difference due to the nano-dot presence. A test chip is prepared by 0.18μm CMOS process. Its read-out properties have over 1000-years durability which is verified by aging acceleration test. It is shown that an areal density of memory can be increased up to 1.3Tbit/in2 by miniaturization of nano-dots and word/bit lines using EB lithography and nanoimprint lithography. |
キーワード |
(和) |
恒久メモリー / ナノドット / EBリソグラフィー / ナノインプリントリソグラフィー / / / / |
(英) |
Permanent memory / nano-dot / EB lithography / Nanoimprint lithography / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-4, pp. 17-22, 2017年4月. |
資料番号 |
ICD2017-4 |
発行日 |
2017-04-13 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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