講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-05-25 13:30
GaNデバイスを用いたLLC共振電源の高周波化検討 ○清水健広(新電元)・松田善秋(STES)・井上陽介(新電元熊本テクノリサーチ) EE2017-2 |
抄録 |
(和) |
近年、機器の小型化や薄型化を背景に、搭載される電源に対する小型化の要求は強くなっている。電源の小型化にはスイッチング周波数の高周波化が基本となるが、これまでは使用される部品の特性等により、高周波化が困難となっていた。しかし、次世代半導体デバイスと呼ばれるSiCやGaNの普及や回路トポロジーの進化に伴い、高周波(MHz)スイッチングの可能性が見えてきている。
本発表では、電源の高周波化に関して考えられる各課題に対して検討を行った内容について、報告する。また、検討内容を基に電源試作を行ったため、その評価結果についても併せて報告する。 |
(英) |
Recently, the miniaturization and thinning of equipment has advanced, demand for miniaturization of the power supply to be mounted has become stronger. In order to miniaturize the power supply, the switching frequency should be increased to the high frequency, but depending on the characteristics of the parts used so far, making it difficult to increase the frequency. However, the diffusion of SiC and GaN called next-generation semiconductor devices and the diffusion of circuit topology with the evolution, the possibility of high frequency (MHz) switching has come to be seen.
This paper shows the contents of considering various possible problems concerning high frequency power supply. Also, the evaluation results of the prototype power supply based on the contents of consideration are reported. |
キーワード |
(和) |
LLC共振電源 / 高周波化 / 小型化 / GaNデバイス / / / / |
(英) |
LLC resonant converter / high frequency / miniaturization / GaN device / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 53, EE2017-2, pp. 7-11, 2017年5月. |
資料番号 |
EE2017-2 |
発行日 |
2017-05-18 (EE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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EE2017-2 |