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講演抄録/キーワード
講演名 2017-05-25 13:30
GaNデバイスを用いたLLC共振電源の高周波化検討
清水健広新電元)・松田善秋STES)・井上陽介新電元熊本テクノリサーチEE2017-2
抄録 (和) 近年、機器の小型化や薄型化を背景に、搭載される電源に対する小型化の要求は強くなっている。電源の小型化にはスイッチング周波数の高周波化が基本となるが、これまでは使用される部品の特性等により、高周波化が困難となっていた。しかし、次世代半導体デバイスと呼ばれるSiCやGaNの普及や回路トポロジーの進化に伴い、高周波(MHz)スイッチングの可能性が見えてきている。
本発表では、電源の高周波化に関して考えられる各課題に対して検討を行った内容について、報告する。また、検討内容を基に電源試作を行ったため、その評価結果についても併せて報告する。 
(英) Recently, the miniaturization and thinning of equipment has advanced, demand for miniaturization of the power supply to be mounted has become stronger. In order to miniaturize the power supply, the switching frequency should be increased to the high frequency, but depending on the characteristics of the parts used so far, making it difficult to increase the frequency. However, the diffusion of SiC and GaN called next-generation semiconductor devices and the diffusion of circuit topology with the evolution, the possibility of high frequency (MHz) switching has come to be seen.
This paper shows the contents of considering various possible problems concerning high frequency power supply. Also, the evaluation results of the prototype power supply based on the contents of consideration are reported.
キーワード (和) LLC共振電源 / 高周波化 / 小型化 / GaNデバイス / / / /  
(英) LLC resonant converter / high frequency / miniaturization / GaN device / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 53, EE2017-2, pp. 7-11, 2017年5月.
資料番号 EE2017-2 
発行日 2017-05-18 (EE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EE2017-2

研究会情報
研究会 EE IEE-HCA  
開催期間 2017-05-25 - 2017-05-26 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) The Kikai Shinko Kaikan building 
テーマ(和) スイッチング電源,家庭向け情報通信機器のエネルギー技術,照明,再生可能エネルギー, 一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EE 
会議コード 2017-05-EE-HCA 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaNデバイスを用いたLLC共振電源の高周波化検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Realization of high frequency LLC resonant converter with GaN device 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) LLC共振電源 / LLC resonant converter  
キーワード(2)(和/英) 高周波化 / high frequency  
キーワード(3)(和/英) 小型化 / miniaturization  
キーワード(4)(和/英) GaNデバイス / GaN device  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 健広 / Takehiro Shimizu / シミズ タケヒロ
第1著者 所属(和/英) 新電元工業株式会社 (略称: 新電元)
Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. (略称: Shindengen)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 善秋 / Yoshiaki Matsuda / マツダ ヨシアキ
第2著者 所属(和/英) 株式会社STES (略称: STES)
STES Co., Ltd. (略称: STES)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 陽介 / Yousuke Inoue / イノウエ ヨウスケ
第3著者 所属(和/英) 新電元熊本テクノリサーチ株式会社 (略称: 新電元熊本テクノリサーチ)
Shindengen Kumamoto Techno-Research Co., Ltd. (略称: Shindengen Kumamoto)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-05-25 13:30:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 EE 
資料番号 EE2017-2 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.53 
ページ範囲 pp.7-11 
ページ数
発行日 2017-05-18 (EE) 


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