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講演抄録/キーワード
講演名 2017-05-26 10:45
N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE
Kiattiwut PrasertsukTomoyuki TanikawaTakeshi KimuraShigeyuki KuboyaTetsuya SuemitsuTakashi MatsuokaTohoku Univ.ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) An N-polar GaN high electron mobility transistor (HEMT) has an advantage over a Ga-polar HEMT from viewpoints of a potential to realize low ohmic contact resistance on both source and drain due to the electrodes are formed on the top GaN layers, and better carrier confinement due to its natural back barrier. In this work, the N-polar GaN/Al0.32Ga0.68N/GaN heterostructure with a smooth interface has been demonstrated by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) grown on a 0.8º off-cut sapphire substrate. To suppress the gate leakage current, a metal-insulator-semiconductor (MIS) gate structure with a 10-nm-thick SiNx insulator layer has been introduced. The gate leakage current has been drastically suppressed by this MIS-HEMT in comparison with a Schottky gate HEMT. As a result, this MIS-HEMT realizes a pinch-off operation with a threshold voltage of -9 V. A prototype N-polar GaN MIS-HEMT also exhibits a promising device characteristic with a maximum current density of over 500 mA/mm.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Gallium Nitride (GaN) / N-polarity / metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) / metal-insulator-semiconductor (MIS) / high electron mobility transistor (HEMT) / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 58, ED2017-26, pp. 59-64, 2017年5月.
資料番号 ED2017-26 
発行日 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM ED CPM  
開催期間 2017-05-25 - 2017-05-26 
開催地(和) 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 
開催地(英) VBL, Nagoya University 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2017-05-SDM-ED-CPM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Gallium Nitride (GaN)  
キーワード(2)(和/英) / N-polarity  
キーワード(3)(和/英) / metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)  
キーワード(4)(和/英) / metal-insulator-semiconductor (MIS)  
キーワード(5)(和/英) / high electron mobility transistor (HEMT)  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) プラスラットスック キャッティウット / Kiattiwut Prasertsuk / プラスラットスック キャッティウット
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷川 智之 / Tomoyuki Tanikawa / タニカワ トモユキ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 健司 / Takeshi Kimura / キムラ タケシ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 窪谷 茂幸 / Shigeyuki Kuboya / クボヤ シゲユキ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu / スエミツ テツヤ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 松岡 隆志 / Takashi Matsuoka / マツオカ タカシ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-05-26 10:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2017-26, CPM2017-12, SDM2017-20 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数
発行日 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) 


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