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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-05-26 15:00 超温度安定1550nm帯多層積層pドープ型QDレーザの検討 ○松本 敦・赤羽浩一・梅沢俊匡・山本直克（NICT）  LQE2017-19 |
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| 抄録 | （和） | 近年、通信トラフィックの増大により、特に中・短距離において光や電波を統合的に利用した高速・大容量リンクの構築と、それを実現するためのデバイス技術の進歩が重要となっており、特に温度安定性に優れた小型・高機能な光集積回路の実現が期待される。一方、量子ドットは高い温度特性や低閾値動作など、高性能な光デバイス材料として期待されている。本報告では、InP(311)B基板を用いて歪補償技術により、30層積層したp-dope型のブロードエリア半導体レーザやリッジ型の半導体レーザを作製した。その結果、p-dope ブロードエリアとリッジ構造半導体レーザにおいて、2156 K と1926 Kという非常に高い特性温度T0の値が得られ、1.55 m帯の量子ドットレーザの中で極めて高い温度安定性を示したので報告する。 |
| （英） | In this paper, we fabricated 1.55-μm band p-doped broad-area (BA) and ridge structured 30-layer stacked quantum-dot (QD) laser diodes (LDs) grown on an InP(311)B substrate via a delta-doping method employing a strain compensation technique. We doped Be atoms to a depth of 5 nm from the bottom of each QD layer. The concentration of Be atoms doped in the InGaAlAs spacer layer was 1 x 1018 cm-3. We observed that the fabricated BA-LDs and ridge QD-LD had extremely stable temperature characteristics, and a characteristic temperature T0 of more than 2156 K and 1926 K was obtained. | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / p-dope / 温度安定性 / / / / / |
| （英） | semiconductor quantum dot / p-doped / thermal stability / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 61, LQE2017-19, pp. 79-84, 2017年5月. | |
| 資料番号 | LQE2017-19 | |
| 発行日 | 2017-05-18 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2017-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE LSJ |
| 開催期間 | 2017-05-25 - 2017-05-26 |
| 開催地（和） | 山代温泉葉渡莉 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 量子光学，非線形光学，超高速現象，レーザ基礎，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2017-05-LQE-LSJ |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超温度安定1550nm帯多層積層pドープ型QDレーザの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Extreme Thermal Stability of 1550 nm Band Highly Stacked QD-LDs with p-Doped Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / semiconductor quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | p-dope / p-doped |
| キーワード(3)（和/英） | 温度安定性 / thermal stability |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 敦 / Atsushi Matsumoto / マツモト アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅沢 俊匡 / Toshimasa Umezawa / ウメザワ トシマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-05-26 15:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2017-19 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.61 |
| ページ範囲 | pp.79-84 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-05-18 (LQE) |
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