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| 講演名 | 2017-06-20 13:00 ［依頼講演］シンチレータとGa2O3半導体 ○岡田 豪・臼井雄輝・河野直樹・河口範明・柳田健之（奈良先端大）  SDM2017-21 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-21 |
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| 抄録 | （和） | 近年、放射線応用技術の高度化に伴い放射線検出に用いられるシンチレータにおいてより高い性能が求められている。シンチレータとは蛍光体の一種であり、放射線入力に対して発光を示し、一般的な光検出器を用いる事により間接的に放射線を検出する事ができる。シンチレータとして特に求められる特性として、高い発光量に加え、短い発光の減衰時間が挙げられる。NaI:TlやYAG:Ceなどに代表される一般的なシンチレータ材料は無機絶縁体材料を母体とし発光中心として働く遷移金属や希土類イオンが添加されているものが殆どである。その為、同発光特性は添加イオンの輻射電子遷移に強く依存し、最も短い減衰時間を有するもので数10 ns程度である。一方、発光材料として用いられる半導体の内在的発光は原理的に発光量が大きく、また従来のシンチレータよりも高速な応答を示す点で注目が集められている。本発表ではシンチレータの一般特性およびGa2O3半導体のシンチレータ特性について議論を行う。 |
| （英） | With the recent advancement of radiation-detection technologies, the demands of higher performances of scintillators are considerably increasing. Scintillators are a class of phosphors which shows luminescence upon incident of ionizing radiations; therefore, one can use scintillators for radiation detections with a use of photodetectors together. Fundamental properties of scintillators include high light yield and short decay time. As represented in NaI:Tl and YAG:Ce as used in practice, scintillator materials in general consist of inorganic insulator as a host matrix and transitional metals or rare-earth ions as luminescent centre. Therefore, the luminescent properties strongly depends on the radiative electronic transitions of dopants and the ones showing the shortest lifetime are on the order of several tens nanoseconds. In contrast, some semiconductors show potentially higher scintillation light yield and even shorter lifetimes. For the latter reasons, semiconductor materials are of our great interest for scintillator applications, and scintillation properties of Ga2O3 in addition to general aspects of scintillators are discussed. | |
| キーワード | （和） | シンチレータ / 半導体 / Ga2O3 / / / / / |
| （英） | Scintillator / Semiconductor / Ga2O3 / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 101, SDM2017-21, pp. 1-4, 2017年6月. | |
| 資料番号 | SDM2017-21 | |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-21 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-06-20 - 2017-06-20 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シンチレータとGa2O3半導体 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scintillators and Ga2O3 Semiconductors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シンチレータ / Scintillator |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体 / Semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | Ga2O3 / Ga2O3 |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 豪 / Go Okada / オカダ ゴウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 臼井 雄輝 / Yuki Usui / ウスイ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河野 直樹 / Naoki Kawano / カワノ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河口 範明 / Noriaki Kawaguchi / カワグチ ノリアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳田 健之 / Takayuki Yanagida / ヤナギダ タカユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-06-20 13:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-21 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.101 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-06-13 (SDM) |
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