| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2017-06-20 13:20
[依頼講演]SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 ~ 半導体で素粒子・X線を見る ~ ○新井康夫(高エネルギー加速器研究機構) SDM2017-22 |
| 抄録 |
(和) |
シリコンは量子線(光子、X線、ガンマ線、電子、イオン、中性子等)を検出する為の物質として優れていると共に、エレクトロニクスを実装するのに欠かせない材料である。従ってこれらを一体化することが望まれるているが、通常のバルクCMOS集積回路では実現が難しかった。
我々はSilicon-on-Insulator (SOI)技術を用いて、センサと読み出し回路を一体化した放射線イメージング検出器を開発した。これにより、従来よりも小さな画素サイズを持った量子線イメージングが可能になると共に、画素ごとにアナログ増幅やデジタル処理を行うことが可能となり、新しい検出方法への道を開いた。 |
| (英) |
Silicon is a good material for detecting quantum beam (Photon, X-ray, Gamma-ray, Electron, Ion, Neutron etc.) and also good for implementing electronics. Then combining these functions in a single chip is sought but it was difficult to realize in standard bulk CMOS technology.
We have developed monolithic radiation image sensors using Silicon-On-Insulator (SOI) technology. This enables smaller pixel size than existing detector and in-pixel data processing, thus opened new detection method. |
| キーワード |
(和) |
SOI / 放射線 / イメージング / X線 / 量子線 / CMOS / 検出器 / |
| (英) |
SOI / radiation / imaging / X-ray / quantum beam / CMOS / detector / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 101, SDM2017-22, pp. 5-8, 2017年6月. |
| 資料番号 |
SDM2017-22 |
| 発行日 |
2017-06-13 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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SDM2017-22 |