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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-08-02 10:50 ［招待講演］金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路 ○矢嶋赳彬・西村知紀・鳥海 明（東大）  SDM2017-44 ICD2017-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-44 ICD2017-32 |
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| 抄録 | （和） | 酸化バナジウムが示す金属絶縁体転移を利用して、キャパシタレスのニューロン回路を作製した。キャパシタが電荷を積算するのとは異なり、酸化バナジウムは内部にジュール熱を蓄積し、それによって金属絶縁体転移を引き起こす。この酸化バナジウムの熱蓄積の効果を用いることで、入力パルス電圧を時間平均し、それによってニューロン回路を作製した。キャパシタによって回路の微細化がしばしば律速されることを考えれば、キャパシタの代わりに金属絶縁体素子を用いる本研究によって、ニューロン回路の微細化が促進されると期待できる。 |
| （英） | The metal-insulator transition of VO2 is exploited in neuromorphic circuits, resulting in a capacitor-less neuron circuit which overcomes the fundamental challenges of downscaling capacitors. The Joule-heat-induced metal-insulator transition enables heat integral in analogy with charge integral in capacitors, leading to the time averaging of the input voltage pulses in the artificial neuron circuits. Thus, the phase transition materials with time averaging function, including VO2, will replace capacitors and help integrate the neuromorphic circuits. | |
| キーワード | （和） | 酸化バナジウム / 金属絶縁体転移 / ニューロン / ジュール熱 / / / / |
| （英） | VO2 / Metal-insulator transition / Neuron / Joule heat / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 166, SDM2017-44, pp. 107-108, 2017年7月. | |
| 資料番号 | SDM2017-44 | |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-44 ICD2017-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-44 ICD2017-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2017-07-31 - 2017-08-02 |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-07-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Capacitor-less neuron circuits using metal-insulator transition devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化バナジウム / VO2 |
| キーワード(2)（和/英） | 金属絶縁体転移 / Metal-insulator transition |
| キーワード(3)（和/英） | ニューロン / Neuron |
| キーワード(4)（和/英） | ジュール熱 / Joule heat |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢嶋 赳彬 / Takeaki Yajima / ヤジマ タケアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西村 知紀 / Tomonori Nishimura / ニシムラ トモノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-08-02 10:50:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-44, ICD2017-32 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.166(SDM), no.167(ICD) |
| ページ範囲 | pp.107-108 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
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