| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2017-08-09 16:15
LSI一体集積のためのPbS QD/Si赤外フォトダイオードのためのZnO層の検討 ○肥後昭男・王 海濱・久保貴哉・宇佐美尚人・岡本有貴・山田健太郎・瀬川浩司・杉山正和・三田吉郎(東大) ED2017-30 |
| 抄録 |
(和) |
セキュアライフエレクトロニクスにおいて,シリコンフォトダイオードでは赤外での感度がほとんどないため,LSIと融合して赤外領域をカバーする安価なフォトダイオードおよびそのLSI一体集積が要求されている.我々は赤外領域において吸収があるPbSコロイド量子ドットとシリコンを用いたフォトダイオードの試作をおこなっている.今回,n-Si/p-PbSコロイド量子ドットの間にあるZnO層の特性を評価した. |
| (英) |
In secure life electronics applications, cost effective and wide range infrared photodiode with large scale integration (LSI) are required, but in general, silicon bulk material has no sensitivity in infrared. For realizing the beyond the silicon bandgap, we proposed and fabricated a p-n junction by n-si, n-ZnO and p-PbS colloidal quantum dots for absorption in the infrared region. In this paper, the properties of the ZnO layer were evaluated. |
| キーワード |
(和) |
コロイド量子ドット / PbS / ZnO / / / / / |
| (英) |
colloidal quantum dot / PbS / ZnO / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 172, ED2017-30, pp. 23-24, 2017年8月. |
| 資料番号 |
ED2017-30 |
| 発行日 |
2017-08-02 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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ED2017-30 |