| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-10-04 13:50 r面サファイア基板上に成長させた単層カーボンナノチューブの自由電子レーザ照射効果 ○シャーマ ロヒト・保延賢人・高橋祐貴・永田知子・岩田展幸・山本 寛（日大）  CPM2017-59 |
|
| 抄録 | （和） | ｒ面単結晶サファイア基板を用いてホットウォール化学気相成長(Hot-Wall Type Chemical Vapor Deposition: HW-CVD)法により高品質な面内配向単層カーボンナノチューブ(Single-Walled Carbon Nanotube : SWNT)の作成条件を探索した。炭素供給源をアセチレンとした。真空蒸着法を用いて平均膜厚4.2nmのFe金属触媒を堆積させた。表面像、ラマンスペクトルから圧力を700Paで一定にしてアセチレンの流量濃度を0.1%、1.0%、1.9%と変化させると1.0%の濃度と1.9%の濃度の時に[-111]方向に成長したSWNTsを確認した。流量濃度が濃くしていくほどG/D比が増加した。RBMからSWNTの直径を算出すると、1.0%、1.9%の時それぞれ0.91nmと0.92nmであった |
| （英） | Optimized condition was investigated for high quality in-plain aligned single-walled carbon nanotubes (SWNTs) on r-plane single crystal sapphire substrate using hot-walled chemical vapor deposition (HW-CVD) method. Acetylene was fed as a carbon source. Iron catalyst with average thickness of 4.2nm was deposited using thermal evaporation method. From the results of surface morphology and Raman spectra, some SWNTs, aligned along the [-111] direction on sapphire substrate surface, were observed as a concentration of acetylene was 1.0% and 1.9% under total pressure of 700Pa. Increasing acetylene concentration, G/D ratio was developed. The diameter of the SWNTs was 0.91 nm and 0.92 nm for 1.0% and 1.9% acetylene concentration. | |
| キーワード | （和） | 単層カーボンナノチューブ / 化学気相成長 / ｒ面単結晶サファイア基板 / / / / / |
| （英） | Single-Walled Carbon Nanotube / Chemical Vapor Deposition / r-plane single crystal sapphire substrate / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 224, CPM2017-59, pp. 1-4, 2017年10月. | |
| 資料番号 | CPM2017-59 | |
| 発行日 | 2017-09-27 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2017-59 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2017-10-04 - 2017-10-04 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 光記録技術・電子材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2017-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | r面サファイア基板上に成長させた単層カーボンナノチューブの自由電子レーザ照射効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Influence of the Free Electron Laser Irradiation on Single-Walled Carbon Nanotubes Grown on r-plane Sapphire Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単層カーボンナノチューブ / Single-Walled Carbon Nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | 化学気相成長 / Chemical Vapor Deposition |
| キーワード(3)（和/英） | ｒ面単結晶サファイア基板 / r-plane single crystal sapphire substrate |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | シャーマ ロヒト / Rohit Sharma / シャーマ ロヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 保延 賢人 / Kento Honobe / ホノベ ケント |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 祐貴 / Yuuki Takahashi / タカハシ ユウキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 知子 / Tomoko Nagata / ナガタ トモコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-10-04 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2017-59 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.224 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-09-27 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]