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講演抄録/キーワード
講演名 2017-10-20 11:05
マイクロ波送電実用化に向けた5.8GHz帯高効率GaN増幅器
山中宏治弥政和宏半谷政毅内海博三西原 淳本間幸洋三菱電機)・佐々木謙治宇宙システム開発利用推進機構EMCJ2017-47 MW2017-99 EST2017-62 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2017-99 EST2017-62
抄録 (和) マイクロ波送電技術は宇宙太陽光発電や地上での遠距離無線電力伝送手段として注目されている.マイクロ波送電技術を実用化するには送信電力増幅器のさらなる高効率化と信頼性・製造性の両立が必要となる.これらの課題に対し,本研究では,通常はミリ波帯で用いられるゲート長0.15mのGaN HEMTを用い,3倍波まで高調波整合することで5.8GHzにおいて世界トップの出力電力8.4W,電力付加効率(PAE)77.7%をチャンピオン性能として達成した.また,信頼性・製造性に優れる量産向けデバイスで平均出力電力11.7W,出力電力ばらつき4.7%,平均PAE 68%,PAEばらつき0.6ptsという良好な結果を得た. 
(英) In this paper, a state-of-the-art high power and high efficiency GaN HEMT amplifier, which is to be used in 5.8GHz microwave power transfer systems, is presented. A 0.15m gate length GaN HEMT, which is usually used for millimeter wave applications, is used to realize ultimate high efficiency. With up to 3rd order harmonic termination, a champion value of 77.7% PAE with 8.4W output power is obtained. Meanwhile, average output power of 11.7W with 4.7% variation and average PAE of 68% with 0.6 pts variation is obtained with more reliable GaN HEMT.
キーワード (和) GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 / / / / /  
(英) GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 244, MW2017-99, pp. 117-122, 2017年10月.
資料番号 MW2017-99 
発行日 2017-10-12 (EMCJ, MW, EST) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2017-47 MW2017-99 EST2017-62 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2017-99 EST2017-62

研究会情報
研究会 MW EMCJ EST  
開催期間 2017-10-19 - 2017-10-20 
開催地(和) あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 
開催地(英) Yupopo 
テーマ(和) 電磁界シミュレーション,EMC, マイクロ波一般 
テーマ(英) Electromagnetic simulation ,EMC, Microwave technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2017-10-MW-EMCJ-EST-EMC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マイクロ波送電実用化に向けた5.8GHz帯高効率GaN増幅器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 5.8GHz High Efficiency GaN Amplifier for Practical Use of Microwave Power Transfer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN HEMT / GaN HEMT  
キーワード(2)(和/英) 高電圧 / High-voltage techniques  
キーワード(3)(和/英) MODFET高出力増幅器 / MODFET power amplifiers  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 弥政 和宏 / Kazuhiro Iyomasa / イヨマサ カズヒロ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 半谷 政毅 / Masatake Hangai / ハンガイ マサタケ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 内海 博三 / Hiromitsu Utsumi / ウツミ ヒロミツ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 西原 淳 / Jun Nishihara / ニシハラ ジュン
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 本間 幸洋 / Yukihiro Homma / ホンマ ユキヒロ
第6著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 謙治 / Kenji Sakaki / ササキ ケンジ
第7著者 所属(和/英) 宇宙システム開発利用推進機構 (略称: 宇宙システム開発利用推進機構)
Japan Spase Systems (略称: J-SS)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-10-20 11:05:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 MW 
資料番号 EMCJ2017-47, MW2017-99, EST2017-62 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.243(EMCJ), no.244(MW), no.245(EST) 
ページ範囲 pp.117-122 
ページ数
発行日 2017-10-12 (EMCJ, MW, EST) 


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