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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-10-25 16:30 ［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大）  SDM2017-54 |
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| 抄録 | （和） | p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されている。本研究では、まずOFETの低電圧動作化を目的として、高誘電率HfO2ゲート絶縁膜上に堆積温度を100oCとしてペンタセン薄膜を形成した。その結果、SiO2上と比較してペンタセン薄膜のグレインサイズが10 μm程度に増大することが分かった。また、SiO2ゲート絶縁膜上においても低仕事関数を有する窒素添加LaB6界面制御層を導入することにより、ペンタセン薄膜のグレインサイズが増大し、OFETのデバイス特性が向上することが分かった。 |
| （英） | The grain growth of a pentacene thin film, which is a well-known p-type organic semiconductor, is sensitive to underneath materials and deposition temperature. In this paper, the pentacene film deposited at 100oC on a HfO2 bottom-gate insulator, which is one of the most famous high-k materials, was investigated to reduce the operation voltage of OFETs. It was found that the grain size of a pentacene film was increased to 10 um, and it was larger than that on SiO2. Furthermore, a nitrogen-doped LaB6 interfacial layer deposited on an SiO2 gate insulator also increased the grain size of the pentacene film, and the device characteristics of the OFET improved. | |
| キーワード | （和） | ペンタセン / HfO2 / 窒素添加LaB6 / 界面制御 / 高温堆積 / 表面モフォロジー / / |
| （英） | pentacene / HfO2 / nitrogen-doped LaB6 / interface control / high temperature deposition / surface morphology / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 260, SDM2017-54, pp. 25-30, 2017年10月. | |
| 資料番号 | SDM2017-54 | |
| 発行日 | 2017-10-18 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-10-25 - 2017-10-26 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study on the Device Characteristics of Pentacene-based OFET with HfO2 Gate Insulator |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素添加LaB6 / nitrogen-doped LaB6 |
| キーワード(4)（和/英） | 界面制御 / interface control |
| キーワード(5)（和/英） | 高温堆積 / high temperature deposition |
| キーワード(6)（和/英） | 表面モフォロジー / surface morphology |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 康貴 / Yasutaka Maeda / マエダ ヤスタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 劉 野原 / Yeyuan Liu / リュウ ヤゲン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 瑞葉 / Mizuha Hiroki / ヒロキ ミズハ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-10-25 16:30:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-54 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.260 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-10-18 (SDM) |
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