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講演抄録/キーワード
講演名 2017-10-27 14:30
シリコンの発光増強を目的としたデバイス構造の検討
杉下佑磨犬飼圭祐五島敬史郎愛知工大CPM2017-70 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2017-70
抄録 (和) シリコン(Si)は間接遷移型半導体の為、高効率で発光することは困難であると言われている。そのためシリコン発光源は未だ実用化に至っていない。 本研究ではシリコンPIN・PN構造において空乏層幅を狭くすること、及びNaやKなどのアルカリ金属を多く含む構造から約20倍程度の強い発光を確認した。またアルカリ金属が含まれている発光スペクトルはTOフォノンを介した遷移過程が支配的になる傾向が分かった。このことから発光増強効果とアルカリ金属不純物には相関関係があることが分かった。 
(英) We investigated the electroluminescence (EL) intensities of silicon p-i-n and p-n structures. We observed a clear difference between high and low EL emission, where the high EL intensity was approximately 20 times the low intensity. The highly efficient structure has a thin depletion layer and high alkali metal doping such as the Na and the K, which dominant to light emission via TO phonon transition. We considered that EL emission assisted in the enhancement of the TO phonon transition caused by the alkali metal.
キーワード (和) シリコン / シリコンフォトニクス / 発光増強 / / / / /  
(英) Silicon, / Silicon photonics, / Enhancement light emission / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 268, CPM2017-70, pp. 17-21, 2017年10月.
資料番号 CPM2017-70 
発行日 2017-10-20 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2017-70 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2017-70

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2017-10-27 - 2017-10-28 
開催地(和) 信州大学 長野(工学)キャンパス E7棟 3階 研修室 
開催地(英) Shinshu Univ. Nagano-Education Campus, E7 building 3F 
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2017-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコンの発光増強を目的としたデバイス構造の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Enhancement of Light Emission Using Silicon P-I-N Structures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン / Silicon,  
キーワード(2)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics,  
キーワード(3)(和/英) 発光増強 / Enhancement light emission  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉下 佑磨 / yuma sugishita / スギシタ ユウマ
第1著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi insutitute of tecnology (略称: AIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 犬飼 圭祐 / keisuke Inukai / イヌカイ ケイスケ
第2著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi insutitute of tecnology (略称: AIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 五島 敬史郎 / Keishiro Goshima / ゴシマ ケイシロウ
第3著者 所属(和/英) 愛知工業大学 (略称: 愛知工大)
Aichi insutitute of tecnology (略称: AIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-10-27 14:30:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2017-70 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.268 
ページ範囲 pp.17-21 
ページ数
発行日 2017-10-20 (CPM) 


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