講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-10-27 15:50
薄膜太陽電池用Cu2(Sn1-xGex)S3光吸収層の作製 ○小林 純・ミョー タンテイ(信州大)・百瀬成空(長野高専)・伊東謙太郎・橋本佳男(信州大) CPM2017-73 エレソ技報アーカイブへのリンク: CPM2017-73 |
抄録 |
(和) |
従来,Cu2(Sn1-xGex)S3(CTGS)光吸収層は,Moなどの裏面電極界面も硫化してしまい光吸収層との間に高抵抗層ができてしまう問題があった.本研究では制御性の良いH2S+Ar混合ガスを用いた硫化方法を検討し、CTGS成長過程におけるGe、Snなどの構成元素の再蒸発現象を抑制できる条件を調べた.プリカーサ自体の温度変化を調べたところ400℃を超えたところでプリカーサ自身の再蒸発が起こっていることが分かった.H2Sガスを流して硫化処理を行ったところ400℃以下ではCTGS生成温度に達していないことが分かった.300℃から硫化をし570℃まで温度を上昇させることでmonoclinic結晶のCTGS薄膜が生成させることが確認できた. |
(英) |
(Available after conference date) |
キーワード |
(和) |
薄膜 / 太陽電池 / Cu2(Sn1-xGex)S3 / 光吸収層 / / / / |
(英) |
Thin-Film / Solar-Cell / Cu2(Sn1-xGex)S3 / Light-Absorption-Layer / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 268, CPM2017-73, pp. 35-39, 2017年10月. |
資料番号 |
CPM2017-73 |
発行日 |
2017-10-20 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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