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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-09 13:05 p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2017-63 |
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| 抄録 | （和） | BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信頼性の観点からその寿命が大きな問題となる．この寿命を改善するために蓄積層部にN型層を追加した新構造を提案し，その効果をTCADで検証した．提案構造では，STI底部で発生したホットエレクトロンが蓄積層部のN型層内で散乱を受けてエネルギーを失うため，ゲート酸化膜へのホットエレクトロン注入が抑制されることを明らかにした．この結果，提案構造では従来構造(p-ドリフト層を長くして電界を緩和させる)と比べて，オン抵抗$R_{sp}$とオフ耐圧$BV$を劣化させることなく，ホットキャリア寿命を大幅に改善できることを示した． |
| （英） | This paper proposes a simple and efficient method to improve hot carrier (HC) immunity of p-channel LDMOSFET without degrading typical figure of merits uch as breakdown voltage $BV$ and specific on-resistance $R_{sp}$. The superiority of a novel STI-based p-channel LDMOSFET with a hot electron cooling (HEC) layer against the conventional method to improve HC immunity (i.e. extending the p- drift length) is confirmed by TCAD simulation. |
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| キーワード | （和） | p-LDMOSFET / ホットキャリアストレス / ゲート絶縁膜破壊 / / / / / |
| （英） | p-LDMOSFET / hot carrier stress / gate oxide breakdown / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 290, SDM2017-63, pp. 11-14, 2017年11月. | |
| 資料番号 | SDM2017-63 | |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-63 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2017-11-09 - 2017-11-10 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2017-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simple and efficient approach to improve hot carrier immunity of a p-LDMOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | p-LDMOSFET / p-LDMOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | ホットキャリアストレス / hot carrier stress |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート絶縁膜破壊 / gate oxide breakdown |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 敦 / Atsushi Sakai / サカイ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： REL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永久 克己 / Katsumi Eikyu / エイキュウ カツミ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： REL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 宏基 / Fujii Hiroki / フジイ ヒロキ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング (略称： ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング) Renesas Semiconductor Manufacturing (略称： RSMC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 隆弘 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング (略称： ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング) Renesas Semiconductor Manufacturing (略称： RSMC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋山 豊 / Yutaka Akiyama / アキヤマ ユタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： REL) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： REL) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-09 13:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2017-63 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-02 (SDM) |
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