講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-11-21 11:20
パワーMOSFET近傍の寄生結合とコモンモード電圧の関係 ○松嶋 徹・黒柳貴夫・久門尚史・和田修己(京大) EMCJ2017-61 |
抄録 |
(和) |
パワーエレクトロニクスに用いられるMOSFETのヒートスプレッダとヒートシンク間に存在する寄生結合により、回路にコモンモードの高周波結合経路が発生し、コモンモード電圧が励振されることを回路解析により示した。
結合経路を制御するために、ハーフブリッジ回路の下側MOSFETにソース電極がヒートスプレッダと接続されているMOSFETを使用することで、数十MHz以下の周波数のコモンモード電流を低減可能であることを示した。
さらに、MOSFET近傍の寄生結合と電源側配線のインダクタンスの値を調整し、インピーダンスバランス条件を満たすことで、数十MHz以上の周波数においてもコモンモード電圧が抑制される。
SPICEシミュレーションによる計算により、100MHzまでの周波数帯において、MOSFET近傍の寄生結合を調整することで15dB以上の低減を確認した。 |
(英) |
In this report, it is formalized that common-mode voltages are excited by switching current flows on parasitic capacitor between a heat spreader of a MOSFET and a heat sink.
In order to control a coupling path of the common mode current, using a MOSFET whose source electrode is connected to a heat spreader for a lower switch of a half-bridge circuit reduces common-mode voltage up to about 30 MHz.
In addition, satisfying the impedance balance condition between the parasitic capacitance around the MOSFET and the parasitic inductance on the power and ground lines can also reduce common-mode voltage above 30 MHz.
According to SPICE simulation, changing the position of parasitic capacitance obtains 15-dB reduction of common-mode voltage below 100~MHz. |
キーワード |
(和) |
コモンモード / 寄生結合 / インピーダンスバランス / パワーMOSFET / / / / |
(英) |
common mode / parasitic coupling / impedance balance / power MOSFET / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 317, EMCJ2017-61, pp. 13-18, 2017年11月. |
資料番号 |
EMCJ2017-61 |
発行日 |
2017-11-14 (EMCJ) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EMCJ2017-61 |
研究会情報 |
研究会 |
WPT EMCJ |
開催期間 |
2017-11-21 - 2017-11-21 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
無線電力伝送,実装,EMC一般 |
テーマ(英) |
Wireless Power Transmission, Electronic Packaging, EMC |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
EMCJ |
会議コード |
2017-11-WPT-EMCJ |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
パワーMOSFET近傍の寄生結合とコモンモード電圧の関係 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Relation between parasitic coupling around power MOSFET and excitation of common-mode voltage |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
コモンモード / common mode |
キーワード(2)(和/英) |
寄生結合 / parasitic coupling |
キーワード(3)(和/英) |
インピーダンスバランス / impedance balance |
キーワード(4)(和/英) |
パワーMOSFET / power MOSFET |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松嶋 徹 / Tohlu Matsushima / マツシマ トオル |
第1著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
黒柳 貴夫 / Takao Kuroyanagi / クロヤナギ タカオ |
第2著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
久門 尚史 / Takashi Hisakado / ヒサカド タカシ |
第3著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
和田 修己 / Osami Wada / ワダ オサミ |
第4著者 所属(和/英) |
京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2017-11-21 11:20:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
EMCJ |
資料番号 |
EMCJ2017-61 |
巻番号(vol) |
vol.117 |
号番号(no) |
no.317 |
ページ範囲 |
pp.13-18 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2017-11-14 (EMCJ) |