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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-30 16:40 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 金属仕事関数依存性 ～ ○塩島謙次・今立宏美（福井大）・三島友義（法政大）  ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 |
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| 抄録 | （和） | GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo, Au, Pd, Ni, Pt)のショットキー電極を形成し、電気的特性の評価を行った。参照試料として、自立GaN基板上に成長したGa極性のc面n-GaNも同様に評価した。I-V特性から求めた理想因子(n値)はm面では1.02～1.05、c面では1.02～1.09と良好な値を示した。m面、及びc面n-GaNの逆方向I-V特性は金属を変えても熱電界放出理論に従うことを明らかにした。m面n-GaNはショットキー障壁高さの金属仕事関数依存性がGa極性のc面n-GaNと同程度である。。これらの結果は、フェルミ準位ピンニングがc面n-GaNと同程度に小さい清浄なm面n-GaNが劈開法により得られることを示した。 |
| （英） | We report electrical characteristics of Schottky contacts with 9 different metals (Ag, Ti, Cr, W, Mo, Au, Pd, Ni, Pt) formed on clean m-plane surfaces by cleaving free-standing GaN substrates, comparing with the contacts on Ga-polar c-plane n-GaN surfaces grown on GaN substrates. The n-values in the forward current-voltage (I-V) characteristics are as good as 1.02 to 1.05 for the m-plane and 1.02 to 1.09 for the c-plane samples. We found that the reverse I-V curves of the both samples can be explained with the thermionic field emission theory, and the m-plane contacts have a metal work-function dependence of Schottky barrier heights as large as that of the Ga-polar c-plane n-GaN contacts. These results tell us that the cleaving method can provide the clean m-plane surfaces where Fermi-level pinning is as small as those of the c-plane. | |
| キーワード | （和） | m面GaN / 劈開 / 仕事関数 / ショットキー接触 / / / / |
| （英） | m-plane GaN / cleaving / metal workfunction / Schottky contact / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-56, pp. 33-38, 2017年11月. | |
| 資料番号 | ED2017-56 | |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2017-11-30 - 2017-12-01 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 |
| サブタイトル（和） | 金属仕事関数依存性 |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of n-GaN Schottky contacts on cleaved surfaces of free-standing substrates |
| サブタイトル（英） | Metal workfunction dependence of Schottky barrier height |
| キーワード(1)（和/英） | m面GaN / m-plane GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 劈開 / cleaving |
| キーワード(3)（和/英） | 仕事関数 / metal workfunction |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今立 宏美 / Hiroyoshi Imadate / イマダテ ヒロヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-30 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-56, CPM2017-99, LQE2017-69 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
| ページ範囲 | pp.33-38 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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