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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-30 15:50 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 ○植村圭佑・松本 悟・渡久地政周・伊藤圭亮・佐藤威友（北大）  ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 |
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| 抄録 | （和） | 窒化物半導体に対して，光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した．GaNと電解液界面の光電気化学反応を制御することにより，パターニングしたSiO2保護膜の窓開け部分にのみGaN表面が選択酸化された．自己酸化膜（GaOx）はアルカリ処理により容易に除去され，従来のドライエッチング表面と比べて加工損傷の抑制されたエッチング表面が得られた．この低損傷エッチングプロセスは，AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタ（HEMT）のリセスゲート加工に有用であることを示した．開発したナノスケール精度を有するエッチングにより，HEMTのしきい値電圧が精密に制御されることを明らかにした． |
| （英） | The photo-electrochemical oxidation and etching process was demonstrated in view of the damage-free etching for GaN and related materials. The photo-electrochemical oxidation was selectively conducted on the opened area of the SiO2-masked GaN surface. The Ga-oxide films were easily removed by the alkaline-treatments, where lower-damaged surface was obtained as compared with the surface obtained after the conventional dry-etching. Such low-damage etching process was very useful to fabricate the recessed-gate structure in AlGaN/GaN HEMTs. The threshold-voltage of HEMTs was precisely controlled with the etching depth with accuracy in a nanometer-range. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN/GaN HEMT / 電気化学酸化 / ウェットエッチング / リセスゲート構造 / / / |
| （英） | GaN / AlGaN/GaN HEMT / electrochemical oxidation / wet etching / recessed-gate / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-54, pp. 23-26, 2017年11月. | |
| 資料番号 | ED2017-54 | |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2017-11-30 - 2017-12-01 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-damage etching of nitride semiconductors utilizing photo-electrochemical reactions for electron devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 電気化学酸化 / electrochemical oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | ウェットエッチング / wet etching |
| キーワード(5)（和/英） | リセスゲート構造 / recessed-gate |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植村 圭佑 / Keisuke Uemura / ウエムラ ケイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 悟 / Satoru Matsumoto / マツモト サトル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡久地 政周 / Masachika Toguchi / トグチ マサチカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 圭亮 / Keisuke Ito / イトウ ケイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-30 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-54, CPM2017-97, LQE2017-67 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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