講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-11-30 14:00
InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性/発光特性のモデル解析 ○太田有亮・坂井繁太・山口敦史(金沢工大) ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63 |
抄録 |
(和) |
窒化物半導体LEDの活性層の電子状態やキャリアダイナミクスについての知見を得るために、LEDの光励起下での電流-電圧特性を詳しく調べた。その結果、光起電力スペクトル測定よりも光電流スペクトル測定の方が、結合状態密度の把握に有用であることがわかった。また、光励起のLEDに逆バイアスを印加することによって、光電流と活性層内での再結合の割合が変化する様子を簡単な理論モデルで説明することができた。 |
(英) |
Current-voltage characteristics under photo-excitation in nitride-based LEDs have been measured to investigate the electronic structures and carrier dynamics in active layers of the devices. It is found that photocurrent spectroscopy reflects the joint density of states more directly than photovoltaic spectroscopy. In addition, the experimental results have been successfully reproduced by a simple rate-equation model considering carrier-leakage induced photo-current and inside recombination processes in the LEDs under reverse-bias condition. |
キーワード |
(和) |
LED / 電流ー電圧特性 / 光電流 / 光起電力 / 窒化物半導体 / / / |
(英) |
LED / current - voltage characteristics / photocurrent / photovoltaic effects / III-nitride / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 333, LQE2017-63, pp. 7-10, 2017年11月. |
資料番号 |
LQE2017-63 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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