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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-30 14:00 InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性／発光特性のモデル解析 ○太田有亮・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）  ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63 |
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| 抄録 | （和） | 窒化物半導体LEDの活性層の電子状態やキャリアダイナミクスについての知見を得るために、LEDの光励起下での電流－電圧特性を詳しく調べた。その結果、光起電力スペクトル測定よりも光電流スペクトル測定の方が、結合状態密度の把握に有用であることがわかった。また、光励起のLEDに逆バイアスを印加することによって、光電流と活性層内での再結合の割合が変化する様子を簡単な理論モデルで説明することができた。 |
| （英） | Current-voltage characteristics under photo-excitation in nitride-based LEDs have been measured to investigate the electronic structures and carrier dynamics in active layers of the devices. It is found that photocurrent spectroscopy reflects the joint density of states more directly than photovoltaic spectroscopy. In addition, the experimental results have been successfully reproduced by a simple rate-equation model considering carrier-leakage induced photo-current and inside recombination processes in the LEDs under reverse-bias condition. | |
| キーワード | （和） | LED / 電流ー電圧特性 / 光電流 / 光起電力 / 窒化物半導体 / / / |
| （英） | LED / current - voltage characteristics / photocurrent / photovoltaic effects / III-nitride / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 333, LQE2017-63, pp. 7-10, 2017年11月. | |
| 資料番号 | LQE2017-63 | |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-50 CPM2017-93 LQE2017-63 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2017-11-30 - 2017-12-01 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2017-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaN発光ダイオードの光励起時のI-V特性／発光特性のモデル解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Model Analysis of I-V and Photoluminescence Characteristics under Photo-Excitation in InGaN LEDs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(2)（和/英） | 電流ー電圧特性 / current - voltage characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | 光電流 / photocurrent |
| キーワード(4)（和/英） | 光起電力 / photovoltaic effects |
| キーワード(5)（和/英） | 窒化物半導体 / III-nitride |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 有亮 / Yusuke Ota / オオタ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai / サカイ シゲタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-30 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2017-50, CPM2017-93, LQE2017-63 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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