ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2017-12-01 09:40
CMPプロセスにおける高圧マイクロジェット(HPMJ)のハイブリッド効果
塚本敬一土肥俊郎九大)・王 成武浙江師範大)・瀬下 清九大)・宮地計二加藤幹大旭サナック)・宮下忠一不二越機械工業)・大坪正徳松永洋子九大OME2017-36
抄録 (和) 半導体ウエハのCMPプロセスにおいて,パッドの目詰まりは避けられない.従来からダイヤモンド電着コンディショナによって,目詰まりを起こしたパッド表層を削り取っているのが実情である,一方近年では超純水のHPMJ(High Pressure Micro Jet)によって非破壊でパッドのコンディショニングを行う方法が考案されている.
本発表では,スラリーをHPMJ装置にて供給することで,スラリー供給とin-situでの非破壊パッドコンディショニングを可能とするハイブリット方式を考案した.SiウエハのCMPプロセスにこのHPMJハイブリッド方式を導入して加工特性を把握したところ,従来の方式と比べ長期間にわたり極めて安定した加工レートと表面品位を確保できることを実証した.本方式はSiのみならずSiC,GaNなどのウエハの加工プロセスにも適用可能である. 
(英) Clogging of the polishing pad is inevitable during CMP process for semiconductor wafer. Conventional reconditioning method to remove the clogging of the pad is to grind off the pad surface using diamond electroplated conditioner, which can damage and thin the pad surface and shorten the life. Recently HPMJ (High Pressure Micro Jet) is adopted to the pad conditioning process, which can extremely reduce the pad damage. In this paper, novel polishing slurry feeding system using HPMJ apparatus is presented, implementing hybrid effect. New method feed the slurry and condition the pad simultaneously (i.e. in-situ conditioning). Long time polishing was executed for Si wafer and the result revealed this method show the stable high material removal rate (MRR) and low surface roughness for long duration of time compared to the conventional slurry dropping method. This HPMJ hybrid system can apply to the polishing process for hard-and-brittle semiconductor materials with wide bandgap such as SiC or GaN.
キーワード (和) 半導体 / CMP / HPMJ / パッドコンディショニング / in-situコンディショニング / スラリー供給 / Siウエハ / SiC  
(英) semiconductor / CMP / HPMJ / pad conditioning / in-situ conditioning / slurry supply / Si wafer / SiC  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 334, OME2017-36, pp. 7-12, 2017年12月.
資料番号 OME2017-36 
発行日 2017-11-24 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2017-36

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2017-12-01 - 2017-12-01 
開催地(和) サンメッセ鳥栖 
開催地(英) Sun Messe Tosu 
テーマ(和) 有機エレクトロニクス、バイオテクノロジー、新規機能性材料、薄膜、機能デバイス、材料・評価技術および一般 
テーマ(英) Organic molecular devices, biotechnology, thin film, novel material, evaluation method, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2017-12-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) CMPプロセスにおける高圧マイクロジェット(HPMJ)のハイブリッド効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Pad-Conditioning/Slurry-Supply Hybrid Effect of High-Pressure-Micro-Jet (HPMJ) Method During CMP Process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体 / semiconductor  
キーワード(2)(和/英) CMP / CMP  
キーワード(3)(和/英) HPMJ / HPMJ  
キーワード(4)(和/英) パッドコンディショニング / pad conditioning  
キーワード(5)(和/英) in-situコンディショニング / in-situ conditioning  
キーワード(6)(和/英) スラリー供給 / slurry supply  
キーワード(7)(和/英) Siウエハ / Si wafer  
キーワード(8)(和/英) SiC / SiC  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚本 敬一 / Keiichi Tsukamoto / ツカモト ケイイチ
第1著者 所属(和/英) 九州大学 グローバルイノベーションセンター (略称: 九大)
Global Innovation Center, Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 土肥 俊郎 / Toshiro Doi / ドイ トシロ
第2著者 所属(和/英) 九州大学 グローバルイノベーションセンター (略称: 九大)
Global Innovation Center, Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 王 成武 / Chengwu Wang / ワン チェング
第3著者 所属(和/英) 浙江師範大学工学院 (略称: 浙江師範大)
Zhejiang Normal University (略称: Zhejiang Normal Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 瀬下 清 / Kiyoshi Seshimo / セシモ キヨシ
第4著者 所属(和/英) 九州大学 グローバルイノベーションセンター (略称: 九大)
Global Innovation Center, Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮地 計二 / Keiji Miyachi / ミヤチ ケイジ
第5著者 所属(和/英) 旭サナック株式会社 (略称: 旭サナック)
Asahi Sunac Corporation (略称: Asahi Sunac Co.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 幹大 / Mikihiro Kato / カトウ ミキヒロ
第6著者 所属(和/英) 旭サナック株式会社 (略称: 旭サナック)
Asahi Sunac Corporation (略称: Asahi Sunac Co.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮下 忠一 / Tadakazu Miyashita / ミヤシタ タダカズ
第7著者 所属(和/英) 不二越機械工業株式会社 (略称: 不二越機械工業)
Fujikoshi Machinery Corporation (略称: Fujikoshi Machinery Co.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 大坪 正徳 / Masanori Ohtsubo / オオツボ マサノリ
第8著者 所属(和/英) 九州大学 グローバルイノベーションセンター (略称: 九大)
Global Innovation Center, Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 松永 洋子 / Yoko Matsunaga / マツナガ ヨウコ
第9著者 所属(和/英) 九州大学 グローバルイノベーションセンター (略称: 九大)
Global Innovation Center, Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2017-12-01 09:40:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2017-36 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.334 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2017-11-24 (OME) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会