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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-12-01 12:55 MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善 ○梶原瑛祐・米原健矢・加藤大望・上杉謙次郎・新留 彩・蔵口雅彦・向井 章・大野浩志・湯元美樹（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝）  ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 331, ED2017-62, pp. 65-68, 2017年11月. | |
| 資料番号 | ED2017-62 | |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2017-11-30 - 2017-12-01 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of PBTI reliability in GaN-MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
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| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶原 瑛祐 / Yosuke Kajiwara / カジワラ ヨウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米原 健矢 / Toshiya Yonehara / ヨネハラ トシヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 大望 / Daimotsu Kato / カトウ ダイモツ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上杉 謙次郎 / Kenjiro Uesugi / ウエスギ ケンジロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新留 彩 / Aya Shindome / シンドメ アヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蔵口 雅彦 / Masahiko Kuraguchi / クラグチ マサヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 向井 章 / Akira Mukai / ムカイ アキラ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 浩志 / Hiroshi Ono / オオノ ヒロシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 湯元 美樹 / Miki Yumoto / ユモト ミキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 啓 / Akira Yoshioka / ヨシオカ アキラ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 先端ディスクリート開発センター (略称： 東芝デバイス&ストレージ) Advanced Discrete Development Center, Toshiba Device & Storage Corporation (略称： Toshiba) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 布上 真也 / Shinya Nunoue / ヌノウエ シンヤ |
| 第11著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 研究開発センター (略称： 東芝) Corporate R&D center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-01 12:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-62, CPM2017-105, LQE2017-75 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
| ページ範囲 | pp.65-68 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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