講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-01 14:45
スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 ○吉澤 涼・林 侑介・三宅秀人・平松和政(三重大) ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 |
抄録 |
(和) |
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率なデバイスの実現には高品質なAlNが必要である.しかしAlNの成長用下地基板であるサファイアとの格子定数差,熱膨張係数差から高密度の貫通転位が発生する.この問題に対してスパッタ法と熱処理法を組み合わせた技術が注目されている.しかしスパッタ法で作製したAlNには不純物が多く含まれるため,その後のデバイス層に悪影響を及ぼす可能性がある.そこでスパッタ法に比べてより不純物密度の少ないMOVPE法を組み合わせることで高品質且つ高純度なAlNテンプレートの実現を目指した.本プロセスで作製したAlNは従来の作製方法と同等の結晶性が得られたとともに,不純物密度に関しても従来の作製方法よりも低い値が得られた. |
(英) |
AlN is a wide band gap semiconductor and has attracted attention as a material for deep UV light device because its thermal and chemical properties are stable. A high-quality AlN film is necessary to realize a highly efficient device. However, high-density threading dislocations are generated from lattice mismatch and difference of thermal expansion coefficient between AlN and sapphire substrate. A technique combining a sputtering and thermal annealing against this problem has attracted attention. However, since AlN film deposited by the sputtering contains a lot of impurities, there is possibility that subsequent epitaxial layers will be adversely affected. Therefore, we aimed to realize high-quality and high-purity AlN template by combining MOVPE with less impurity density than sputtering. The crystallinity of AlN fabricated by this process was equivalent to that of the conventional fabrication methods and the impurity density was lower than that of the conventional fabrication methods. |
キーワード |
(和) |
AlN / サファイア / スパッタ / MOVPE / アニール / / / |
(英) |
AlN / Sapphire / Sputtering / MOVPE / Annealing / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 333, LQE2017-79, pp. 83-86, 2017年11月. |
資料番号 |
LQE2017-79 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 |
研究会情報 |
研究会 |
LQE CPM ED |
開催期間 |
2017-11-30 - 2017-12-01 |
開催地(和) |
名古屋工業大学 |
開催地(英) |
Nagoya Inst. tech. |
テーマ(和) |
窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) |
Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2017-11-LQE-CPM-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Homoepitaxial growth on sputtered AlN templates by MOVPE |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
AlN / AlN |
キーワード(2)(和/英) |
サファイア / Sapphire |
キーワード(3)(和/英) |
スパッタ / Sputtering |
キーワード(4)(和/英) |
MOVPE / MOVPE |
キーワード(5)(和/英) |
アニール / Annealing |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
吉澤 涼 / Ryo Yoshizawa / ヨシザワ リョウ |
第1著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
林 侑介 / Yusuke Hayashi / ハヤシ ユウスケ |
第2著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
第3著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
第4著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2017-12-01 14:45:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
ED2017-66, CPM2017-109, LQE2017-79 |
巻番号(vol) |
vol.117 |
号番号(no) |
no.331(ED), no.332(CPM), no.333(LQE) |
ページ範囲 |
pp.83-86 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
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