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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-12-01 13:10 脚光を浴びるダイラタンシー・パッドによるスマート加工 ～ ダイラタンシー・パッド材料とその評価法に基づくパワーデバイス用SiC基板の加工特性 ～ ○瀬下 清・土肥俊郎・大坪正徳・塚本敬一（九大）・高木正孝（フジボウ愛媛）・市川大造（不二越機械工業）  OME2017-42 |
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| 抄録 | （和） | サファイヤ，SiC，GaNなどの難加工性材料基板のスマートポリシング加工技術構築の鍵を握るのがダイラタンシー材料である.この加工特性を決定づける要因解明にあたり,オストワルドの流動の式における指数n＞1.0に注目し, 高加工能率・高加工面品位を両立するための最適なダイラタンシー材料を開発する上で,落槌試験による新しい物性評価技術を確立し,さらに試作したパッドによる加工特性を評価した.その結果,従来技術と比較して加工レートが2.5～10倍,加工面粗さ1/3,ウエハ内のスクラッチ数：1/100,加工変質層深さ1/10に向上させることができ,高能率・高品位加工の実用化を可能にした. |
| （英） | Dilatancy material has hold the key to construct Smart-polishing technology for hard-to-process material substrates such as Sapphire, SiC, and GaN. Regarding on the factors that determines the polishing characteristic, We have focused onto the index n > 1.0 in Ostwald's flow equation in order to develop the optimum dilatancy material for satisfy both between high polishing efficiency and high polishing surface quality. And therefore, a new property evaluation technique has been established by drop impact tests and further evaluated the Polishing characteristics of the prototype pad. As a result, Compared to the conventional technology, the material removal rates can be increased to 2.5 to 10 times, the surface roughness is 1/3rd, the number of scratches in the wafer: 1/100th, the depth of the latent damage layer is 1/10th, and high efficiency making it possible to put high-grade polishing into practical use. | |
| キーワード | （和） | CMP / SiC / ダイラタンシー現象 / オストワルドの流動 / 落鎚試験 / 衝撃速度 / 材料評価法 / 加工変質層 |
| （英） | CMP / SiC / dilatancy phenomenon / Ostwald’s flow / ｄrop impact test / impact speed / material evaluation method / process- damage layer | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 334, OME2017-42, pp. 31-36, 2017年12月. | |
| 資料番号 | OME2017-42 | |
| 発行日 | 2017-11-24 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2017-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2017-12-01 - 2017-12-01 |
| 開催地（和） | サンメッセ鳥栖 |
| 開催地（英） | Sun Messe Tosu |
| テーマ（和） | 有機エレクトロニクス、バイオテクノロジー、新規機能性材料、薄膜、機能デバイス、材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Organic molecular devices, biotechnology, thin film, novel material, evaluation method, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2017-12-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 脚光を浴びるダイラタンシー・パッドによるスマート加工 |
| サブタイトル（和） | ダイラタンシー・パッド材料とその評価法に基づくパワーデバイス用SiC基板の加工特性 |
| タイトル（英） | Smart polishing by applying the limelight Dilatancy-Pad |
| サブタイトル（英） | Evaluation for Dilatancy-Pad materials and SiC substrates's polishing characteristics |
| キーワード(1)（和/英） | CMP / CMP |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | ダイラタンシー現象 / dilatancy phenomenon |
| キーワード(4)（和/英） | オストワルドの流動 / Ostwald’s flow |
| キーワード(5)（和/英） | 落鎚試験 / ｄrop impact test |
| キーワード(6)（和/英） | 衝撃速度 / impact speed |
| キーワード(7)（和/英） | 材料評価法 / material evaluation method |
| キーワード(8)（和/英） | 加工変質層 / process- damage layer |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瀬下 清 / Kiyoshi Seshimo / セシモ キヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土肥 俊郎 / Tshiro Doi / ドイ トシロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大坪 正徳 / Masanori Ohtsubo / オオツボ マサノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚本 敬一 / Keiichi Tukamoto / ツカモト ケイイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 正孝 / Masataka Takagi / タカギ マサタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | フジボウ愛媛株式会社 (略称： フジボウ愛媛) FUJIBO Ehime Co.,Ltd. (略称： FUJIBO Ehime) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 大造 / Daizo Ichikawa / イチカワ ダイゾウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 不二越機械工業株式会社 (略称： 不二越機械工業) Fujikoshi Machinery Corp. (略称： Fjikoshi Machinery) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-01 13:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2017-42 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.334 |
| ページ範囲 | pp.31-36 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-24 (OME) |
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