講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-01 14:20
[招待講演]溶液プロセスで作製した高移動度ペロブスカイトトランジスタ ○松島敏則・サンガランゲ ドン アトゥラ サンダナヤカ・シン センコウ(九大)・藤原 隆(九州先端科学技研)・安達千波矢(九大) OME2017-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2017-45 |
抄録 |
(和) |
有機無機ペロブスカイトをトランジスタの半導体層として用いれば、バンド伝導を利用して高いキャリア移動度が期待される。しかし、報告されたキャリア移動度は低く、実用化には不十分であった。本研究では、基板の表面修飾やデバイス構造の最適化を行ったところ、従来よりも10倍高いホール移動度26 cm2 V-1 s-1が得られた。電極構造を最適化することによりペロブスカイトトランジスタのn型駆動も試みた。その結果、これまでで最も高い4.6 cm2 V-1 s-1の電子移動度が得られた。我々が作製したペロブスカイトトランジスタにおいては、ヒステリシスはほとんど観測されず、バイアス安定性にも優れていることを見出した。 |
(英) |
Organic-inorganic perovskites are extremely promising as the semiconductor in field-effect transistors because of their excellent carrier transport properties inherent from band conduction. However, reported perovskite transistor performance is still insufficient for practical applications. In this study, we could greatly improve perovskite transistor performance through a surface modification of substrates and optimization of transistor structures. Thus, hole mobility values achieved up to 26 cm2 V-1 s-1. By utilizing a suitable electrode structure, we demonstrated the n-channel operation of perovskite transistors with electron mobilities of up to 4.6 cm2 V-1 s-1. Our perovskite transistors were found to have less hysteresis along with good bias stability. |
キーワード |
(和) |
有機無機ペロブスカイト / トランジスタ / 溶液プロセス / キャリア移動度 / / / / |
(英) |
organic-inorganic perovskite / transistor / solution processing / carrier mobility / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 334, OME2017-45, pp. 49-51, 2017年12月. |
資料番号 |
OME2017-45 |
発行日 |
2017-11-24 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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