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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-12-07 10:50 Si変調器用装荷導波路型縦型PN接合位相シフタの作製 ○前神有里子・叢 光偉・大野守史・岡野 誠（産総研）・伊東憲人・西山伸彦・荒井滋久（東工大）・山田浩治（産総研）  OPE2017-92 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2017-92 |
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| 抄録 | （和） | 我々はSi光変調器に用いる縦型PN接合構造を有した装荷導波路型位相シフタを，CMOS互換プロセスにより作製した．この装荷導波路は，高屈折率な誘電体材料である水素化アモルファス(a-Si:H)ストリップを，SOI基板上に薄い熱酸化膜を介して装荷する構造である．本構造を用いれば，縦型PN接合において，平坦なSOI基板上にイオン注入することで，高いキャリア分布の制御性を実現でき，また装荷導波路のコア形状は，エッチストップ層となる薄い熱酸化膜の上にa-Si:Hを成膜することにより，高い形状精度を実現できる．作製したデバイスについて，STEM観察を行い，設計通りのコア形状であることを確認した．また，SIMSとSCMによって，キャリア分布の高い制御性を確認した．作製したデバイスの変調特性として，V$pi$Lが0.7~2.0 Vcm の高い変調効率と28 Gbpsの高速動作を確認した． |
| （英） | We fabricate a silicon optical phase shifter based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) strip-loaded waveguides on a silicon on insulator (SOI) platform by using a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) compatible process without half etching of the SOI layer. A vertical p-n junction is controllably constructed with ion implantation in a flat etchless SOI layer. The waveguide structure based on a thin a-Si:H strip line is formed by applying a controllable and uniform deposition process and having an etching stop layer. In detail evaluation of the fabricated device, the precisely formed core shape is confirmed by scanning transmission electron microscopy (STEM) observation and the uniformity of carrier profile is analyzed by secondary ion mass spectrometry (SIMS) and a scanning capacitance microscope (SCM). As modulation performances, the modulator provides 0.7- to 2-Vcm modulation efficiency and 28-Gbps high-speed operation. | |
| キーワード | （和） | 変調器 / 縦型PN接合 / 装荷導波路 / シリコンフォトニクス / / / / |
| （英） | Modulator / Vertical p-n junction / Strip-loaded waveguide / Silicon photonics / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 339, OPE2017-92, pp. 13-18, 2017年12月. | |
| 資料番号 | OPE2017-92 | |
| 発行日 | 2017-11-30 (OPE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2017-92 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2017-92 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
| 開催期間 | 2017-12-07 - 2017-12-08 |
| 開催地（和） | まりんぴあみやこ |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光パッシブコンポーネント(フィルタ，コネクタ，MEMS)、シリコンフォトニクス、その他一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2017-12-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si変調器用装荷導波路型縦型PN接合位相シフタの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of vertical PN junction phase shifter for Si optical modulator based on strip loaded waveguide |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 変調器 / Modulator |
| キーワード(2)（和/英） | 縦型PN接合 / Vertical p-n junction |
| キーワード(3)（和/英） | 装荷導波路 / Strip-loaded waveguide |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前神 有里子 / Yuriko Maegami / マエガミ ユリコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 叢 光偉 / Guangwei Cong / コン グァンウェイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 守史 / Morifumi Ohno / オオノ モリフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡野 誠 / Makoto Okano / オカノ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 憲人 / Kazuto Itoh / イトウ カズト |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 浩治 / Koji Yamada / ヤマダ コウジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-07 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2017-92 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.339 |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-11-30 (OPE) |
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