講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-12-15 14:20
多結晶シリコンPL像中の転位領域の非負値行列因子分解による推定 ○工藤博章・羽山優介・松本哲也・沓掛健太朗・宇佐美徳隆(名大) IMQ2017-22 |
抄録 |
(和) |
多結晶シリコンウェハのPL像に対して,ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を行った.非負値行列因子分解の手法を用いて,画像を再構成し,転位領域で再構成誤差が大きくなることを仮定した.また,転位領域は暗い領域を仮定した.負の係数を許容するスパースコーディングによる手法より,良好な結果を得た.また,学習には転位領域を含まない方が良い結果を得た. |
(英) |
In this report, we studied a specified method of regions including dislocations which are crystallographic defects in a photoluminescence (PL) image of multicrystalline silicon wafers. We utilized a method of non-negative matrix factorization (NMF) to reconstruct the wafer image. We assumed regions of dislocations caused large represent errors and presented darker colors. We obtained effective results by the proposed method than results of sparse coding methods using bases based on independent component analysis or NMF. Sparse coding methods allow negative values as coefficients matrix. As sample images of the learning process, images without dislocations lead effective results. |
キーワード |
(和) |
多結晶シリコン / PL像 / 転位 / 非負値行列因子分解 / / / / |
(英) |
multicrystalline silicon / photoluminescence image / dislocation / non-negative matrix factorization / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 356, IMQ2017-22, pp. 13-18, 2017年12月. |
資料番号 |
IMQ2017-22 |
発行日 |
2017-12-08 (IMQ) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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IMQ2017-22 |