| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-12-19 10:30 PINダイオードを用いた4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器 ○眞下和樹・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2017-142 |
|
| 抄録 | （和） | 次世代移動体通信に向けた、4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器の設計・評価を行った。切替素子の挿入損失の影響を極力抑えるため、２倍波短絡用開放スタブに並行に追加線路を配置し、両端同士を各々PINダイオードで接続し、そのON/OFFで等価的に特性インピーダンスを変化させる、という構造を採用し、これを用いて基本波整合を変化させることで、高効率動作帯域の切替を実現した。試作の結果、ON時に4.6 GHzで最大ドレイン効率62%、最大付加電力効率57%、飽和出力電力38dBm、OFF時に5.0 GHzで最大ドレイン効率70%、最大付加電力効率66%、飽和出力電力38dBm、となり、両帯域での高効率動作が確認された。 |
| （英） | For the next generation wireless communication systems, 4.5-/4.9-GHz band tunable GaN HEMT high efficiency power amplifier was designed and evaluated. In order to minimize an influence of the insertion loss caused by switching elements, an additional line is arranged in parallel with the open-ended stub for the second harmonic treatment. The fabricated GaN HEMT amplifier exhibited a maximum power-added efficiency of 57% and 66%, a maximum drain efficiency of 62% and 70%, and a saturation output power of 38 dBm at 4.6 and 5.0 GHz, respectively, for each switched condition. | |
| キーワード | （和） | 電力増幅器 / 高効率 / 帯域可変 / GaN HEMT / PINダイオード / / / |
| （英） | power amplifier / high efficiency / tunable / GaN HEMT / PIN diode / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 366, MW2017-142, pp. 1-6, 2017年12月. | |
| 資料番号 | MW2017-142 | |
| 発行日 | 2017-12-12 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2017-142 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2017-12-19 - 2017-12-20 |
| 開催地（和） | 国士舘大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 学生研究会/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2017-12-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | PINダイオードを用いた4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 4.5-/4.9-GHz-Band Tunable GaN HEMT High Efficiency Power Amplifier with PIN Diode Switches. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(3)（和/英） | 帯域可変 / tunable |
| キーワード(4)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | PINダイオード / PIN diode |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 眞下 和樹 / Kazuki Mashimo / マシモ カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： Univ. of Electro-Communications) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： Univ. of Electro-Communications) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjou / ホンジョウ カズヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： Univ. of Electro-Communications) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-19 10:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2017-142 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.366 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-12-12 (MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]