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| 講演名 | 2017-12-19 09:40 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）  ED2017-82 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-82 |
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| 抄録 | （和） | In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3AsチャネルHEMTを作製し，そのDC・RF特性を温度300，16 Kにおいて測定し両者の比較を行った．InGaAsチャネル層中にInAs極薄層を導入することで，ドレイン電流Idsは約２倍に増大する．また遮断周波数fTは，冷却により20～35%程度増大する．一方最大発振周波数fmaxは，InGaAsチャネルHEMTでは30～40%程度の増大率であるが，InGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTでは70%以上の非常に大きな増大が見られた．このように，InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルの方がfmaxの増大率が非常に大きいのは，冷却によりInAs層中に電子がより閉じ込められ，ドレインコンダクタンスgdが抑制されるためと考えられる． |
| （英） | We fabricated In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As and In0.7Ga0.3As channel HEMTs and measured their DC and RF characteristics at 300 and 16 K. The drain-source current Ids of the InGaAs/InAs/InGaAs channel HEMT is more than twice that of the InGaAs channel HEMT. The cutoff frequency fT value increases by about 20 to 35% with cooling from 300 to 16 K for both HEMTs. On the other hand, the increase in the maximum oscillation frequency fmax by cooling for the InGaAs/InAs/InGaAs channel HEMT is much greater than that for the InGaAs channel HEMT. The increase in fmax for the InGaAs channel HEMT is about 30 to 40%. On the other hand, the increase for the InGaAs/InAs/InGaAs channel HEMT is over 70%, which results from the suppression of increasing drain conductance gd. The suppression of gd is due to the more confinement of electrons in the InAs layer by cooling. | |
| キーワード | （和） | InGaAs/InAs/InGaAs / 低温特性 / ドレイン電流 / 遮断周波数 / 最大発振周波数 / ドレインコンダクタンス / / |
| （英） | InGaAs/InAs/InGaAs / Cryogenic characteristics / Drain-source current / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency / Drain conductance / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 364, ED2017-82, pp. 37-40, 2017年12月. | |
| 資料番号 | ED2017-82 | |
| 発行日 | 2017-12-11 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2017-82 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-82 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED THz |
| 開催期間 | 2017-12-18 - 2017-12-19 |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cryogenic DC and RF Characteristics of InGaAs/InAs/InGaAs Composite Channel HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs/InAs/InGaAs / InGaAs/InAs/InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 低温特性 / Cryogenic characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | ドレイン電流 / Drain-source current |
| キーワード(4)（和/英） | 遮断周波数 / Cutoff frequency |
| キーワード(5)（和/英） | 最大発振周波数 / Maximum oscillation frequency |
| キーワード(6)（和/英） | ドレインコンダクタンス / Drain conductance |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu / カサマツ アキフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/富士通研究所 (略称： NICT/富士通研) National Institute of Information and Communications Technology/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： NICT/Fujitsu Labs.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-12-19 09:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-82 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.364 |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-12-11 (ED) |
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