| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2017-12-19 15:10
デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性 ○菅原健太・渡辺隆之・ヤダフ ディピカ・込山貴大・布施吉貴(東北大)・リジー マキシム(会津大)・リジー ヴィクトール・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一(東北大) ED2017-91 |
| 抄録 |
(和) |
デュアルゲートグラフェンFET(DG-GFET)の相互コンダクタンスの温度特性に関する実験結果を報告する.SiC基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用い,ゲート絶縁膜はゲートリークを防ぐためにSiNを従来より厚く堆積させ,デバイスを試作した.試作したデバイスの2つのゲートに対して,異なる温度でデバイスの電流電圧特性をそれぞれ測定した.その結果,低温下においてグラフェンのキャリア輸送特性が向上し,相互コンダクタンス,キャリア運動量緩和時間が増加したことが確認された. |
| (英) |
We report on experimental observation of temperature characteristics of a dual gate graphene field effect transisor (DG-GFET). We fabricated the device made of high-quality epitaxial graphene (EG) grown by thermal decomposition of a SiC substrate. And a SiN gate insulator was deposited more thickly than before to prevent the gate leakage current. We measured its I-V characteristics for both gates at different temperatures. We observed improved transconductance and carrier momentum relaxation time at lower temperatures reflecting the improved carrier transport property. |
| キーワード |
(和) |
グラフェン / テラヘルツ / トランジスタ / / / / / |
| (英) |
Graphene / Terahertz / Transistor / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 364, ED2017-91, pp. 73-76, 2017年12月. |
| 資料番号 |
ED2017-91 |
| 発行日 |
2017-12-11 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ED2017-91 |